[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 200810080739.2
• 申請日: 2004-04-20
• 公開（公告）號: CN101241848A
• 公開（公告）日: 2008-08-13
• 發明（設計）人: 藤川一洋;原田真
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L21/04
• 分類號: H01L21/04;H01L21/266
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 朱丹

1、一種半導體裝置的制造方法，是通過離子注入法在半導體基板(101)的表面上形成雜質的注入區域的半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

在半導體基板(101)的表面上形成包含SiO₂膜(107a、107b)和金屬薄膜(105)的掩膜層(103)的工序、和進行雜質離子的注入的工序。

2、如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

將所述半導體基板(101)加熱至300℃～500℃，進行雜質離子的注入。

3、如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

將所述半導體基板(101)加熱至500℃～800℃，進行雜質離子的注入。

4、如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述的掩膜層(103)是由3層以上的層構成。

5、如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述SiO₂膜(107a、107b)的平均厚度和所述金屬薄膜(105)的平均厚度分別為500nm～1.5μm。

6、如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述掩膜層(103)具備SiO₂膜作為最下層膜。

7、如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述掩膜層(103)具備金屬薄膜作為最下層膜。

8、如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述掩膜層(103)具備SiO₂膜作為最上層膜。

9、如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述掩膜層(103)具備金屬薄膜作為最上層膜。

10、如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述SiO2膜(107a、107b)是由SOG法形成。