[發(fā)明專利]存儲器操作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810080532.5
• 申請日: 2008-02-21
• 公開（公告）號: CN101441895A
• 公開（公告）日: 2009-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭明昌
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;H01L27/115
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 周國城

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域，是有關(guān)于一種存儲器的操作方法， 且特別是有關(guān)于一種具有多級存儲單元(multi?level?cell，MLC)的存儲 器的操作方法。

背景技術(shù)

在存儲器制造業(yè)中，提高存儲器的密度以降低制造成本系為技術(shù) 發(fā)展的重要關(guān)鍵。隨著存儲器元件的尺寸微縮逐漸逼近物理極限，利 用工藝提高存儲器元件的密度已經(jīng)變的愈來愈困難。

因此，隨著具有多級存儲單元(multi?level?cell，MLC)的存儲器的概 念被提出，便衍生出另一種提高存儲器密度的發(fā)展方向。具有MLC的 存儲器系利用電荷改變存儲單元的閾值電平，以讀取電流的大小判定 存儲器儲存的位狀態(tài)。目前的存儲器編程方法，都難以將存儲單元編 程到精確的閾值電平，使得代表不同位的讀取電流范圍容易重迭，造 成位判定上的困難。

因此，如何在對存儲單元進行編程時，能夠讓存儲單元具有精確 的閾值電平，以提高數(shù)據(jù)讀取的正確度，是業(yè)界所致力的課題之一。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種存儲器的操作方法， 該方法是在編程過程中分階段修正閾值電平，使存儲單元于每次編程 操作均能精確改變到設(shè)定的閾值電平，使具有MLC的存儲器的可靠性 得以提高，以提高數(shù)據(jù)讀取的正確性。

根據(jù)本發(fā)明，提出一種存儲器的操作方法，該操作方法包括下列 步驟。首先，提供一存儲器，存儲器包括一電荷儲存結(jié)構(gòu)。溝道區(qū)位 于源極區(qū)及漏極區(qū)之間，電荷儲存結(jié)構(gòu)設(shè)置于溝道區(qū)上，柵極設(shè)置于 電荷儲存結(jié)構(gòu)上。接著，注入第一型電荷至電荷儲存結(jié)構(gòu)內(nèi)，使存儲 器的閾值電平高于一擦除電平。然后，注入第二型電荷至電荷儲存結(jié) 構(gòu)，使存儲器的閾值電平低于一設(shè)定位電平。接著，注入第一型電荷 至電荷儲存結(jié)構(gòu)內(nèi)，使存儲器的閾值電平趨近于或等于設(shè)定位電平。

根據(jù)本發(fā)明，提出一種存儲器的操作方法，該操作方法包括下列 步驟。首先，提供一存儲器，存儲器包括一電荷儲存結(jié)構(gòu)、一襯底及 一柵極，襯底具有一溝道區(qū)、一源極區(qū)及一漏極區(qū)，溝道區(qū)位于源極 區(qū)及漏極區(qū)之間，電荷儲存結(jié)構(gòu)設(shè)置于溝道區(qū)上，柵極設(shè)置于電荷儲 存結(jié)構(gòu)上。接著，分別對柵極、源極區(qū)及漏極區(qū)施加一第一柵極偏壓、 一第一源極偏壓及一第一漏極偏壓，使存儲器的閾值電平高于一擦除 電平。然后，分別對柵極、源極區(qū)及漏極區(qū)施加一第二柵極偏壓、一 第二源極偏壓及一第二漏極偏壓，使存儲器的閾值電平低于一設(shè)定位 電平。接著，分別對柵極、源極區(qū)及漏極區(qū)施加一第三柵極偏壓、一 第三源極偏壓及一第三漏極偏壓，使存儲器的閾值電平趨近于或等于 設(shè)定位電平。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例， 并配合所附圖式，作詳細說明。

附圖說明

圖1繪示依照本發(fā)明一較佳實施例的一種存儲器的操作流程圖；

圖2A繪示本發(fā)明一較佳實施例的一種存儲器于操作流程的擦除 步驟的示意圖；

圖2B繪示本發(fā)明一較佳實施例的一種存儲器于操作流程的擦除 步驟的閾值電平變化；

圖3A繪示本發(fā)明一較佳實施例的一種存儲器于操作流程的編程 步驟的示意圖；

圖3B繪示本發(fā)明一較佳實施例的一種存儲器于操作流程的編程 步驟的閾值電平變化；

圖4A繪示本發(fā)明一較佳實施例的一種存儲器于操作流程的修正 步驟的示意圖；以及

圖4B繪示本發(fā)明一較佳實施例的一種存儲器于操作流程修正步 驟的閾值電平變化。

【主要元件符號說明】

2：擦除電平

4、6、8：位電平

10：襯底

12：源極區(qū)

14：漏極區(qū)

16：溝道區(qū)

20：電荷儲存結(jié)構(gòu)

21：隧穿介電層

22：電荷儲存層

23：阻擋層

30：柵極

50：存儲器

具體實施方式