[發明專利]去磁方法有效
| 申請號: | 200810080529.3 | 申請日: | 2008-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN101286405B | 公開(公告)日: | 2011-11-30 |
| 發明(設計)人: | 阿爾貝特·莫伊雷爾;馬雷克·羅納 | 申請(專利權)人: | 阿爾貝特·莫伊雷爾 |
| 主分類號: | H01F13/00 | 分類號: | H01F13/00 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 鄭小軍 |
| 地址: | 瑞士格呂*** | 國省代碼: | 瑞士;CH |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 方法 | ||
1.一種將外部激勵電串聯共振電路(1)的交變磁場中的鐵磁元件去磁的方法,具有關聯共振頻率(fR)的所述外部激勵電串聯共振電路(1)包括:至少一個具有無負載電感(LO)的去磁線圈(2),所述去磁線圈(2)與至少一個具有關聯電容(C)的第一電容器(4)串聯,且與電壓源(3)并聯;所述電壓源(3)能夠提供具有可調節激勵頻率(f)和固定電壓幅度的電源電壓(U),所述方法的特征在于:
a)將所述激勵頻率(f)設定為使得單位為Hz的所述激勵頻率f乘以單位為亨利的所述無負載電感LO的乘積滿足f*LO≥0.22[Hz*H],從而使所述激勵頻率(f)被限制在小于所述共振頻率(fR)的工作范圍(5)內,之后
b)將所述電壓源(3)以恒定電壓幅度和固定激勵頻率(f)運行,以及
c)將待去磁的多個元件連續移動通過所述去磁線圈(2),所述多個元件在所述去磁線圈(2)中必須處于限定的填充程度范圍內。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于:所述去磁線圈(2)的品質為0.04<Q<0.4,其中Q=LO/R[H/Ohm],R為歐姆電阻。
3.如權利要求1所述的方法,其特征在于:所述多個元件分別沿著與所述去磁線圈(2)的縱軸平行的方向移進和移出所述去磁線圈(2)。
4.如權利要求1所述的方法,其特征在于:所述多個元件的輸入方向與所述去磁線圈(2)的縱軸有一個不為零的夾角。
5.如權利要求1所述的方法,其特征在于:所述電源電壓(U)的激勵頻率(f)在1Hz至100Hz的頻率范圍內。
6.如權利要求1所述的方法,其特征在于:所述電源電壓(U)的激勵頻率(f)在2Hz至50Hz的頻率范圍內。
7.如前述權利要求中任一項所述的方法,其特征在于:所述填充程度大于10%。
8.如權利要求3所述的方法,其特征在于:所述填充程度為約等于50%。
9.如權利要求1所述的方法,其特征在于:所述方法在所述激勵頻率(f)固定、且所述電源電壓(U)保持恒定后,不通過調節和控制,在連續運行中執行。?
10.如權利要求1所述的方法,其特征在于:用輸送工具將所述多個待去磁元件自動地、單個地通過至少一個所述去磁線圈(2)的內腔,或者用環形輸送工具將所述多個待去磁元件多次地通過至少一個所述去磁線圈(2)的內腔。?
11.如權利要求1所述的方法,其特征在于:將待去磁的所述多個元件人工地通過至少一個所述去磁線圈(2)的內腔。?
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