[發明專利]半導體元件

有效

• 申請號: 200810080484.X
• 申請日: 2008-02-19
• 公開（公告）號: CN101515613A
• 公開（公告）日: 2009-08-26
• 發明（設計）人: 姚久琳;陳澤澎;謝明勛
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;G02F1/13357;H05B37/00;H05B37/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云

1.一種半導體元件，包含：

半導體疊層；

電極，形成于該半導體疊層之上，以及

多個導電結構，形成于該半導體疊層之上，并與該電極電性相連，以作 為分散電流之用，且該多個導電結構的每一個具有與該半導體疊層接觸的底 部寬度，位于該底部寬度的相對側的頂部寬度，以及一高度為該底部寬度與 該頂部寬度的距離，其中該頂部寬度與該底部寬度的比值小于0.7，且該底 部寬度小于5μm。

2.如權利要求1所述的半導體元件，其中該頂部寬度與該底部寬度的比 值為小于0.35。

3.如權利要求1所述的半導體元件，其中該底部寬度為0.1μm～3μm或 小于該半導體元件的發光波長。

4.如權利要求1所述的半導體元件，其中該高度大于該底部寬度。

5.如權利要求1所述的半導體元件，其中該高度為該底部寬度的1.5倍 以上。

6.如權利要求1所述的半導體元件，其中還包含粗糙化結構或周期性凹 凸結構于該半導體疊層的表面或具有一平均粗糙度大于0.1μm的該半導體 疊層的表面。

7.如權利要求1所述的半導體元件，還包含一保護層形成于該導電結構 的側壁。

8.如權利要求1所述的半導體元件，還包含一透明導電層覆蓋于該導電 結構之上或另一透明導電層形成于該導電結構與該半導體疊層之間。

9.如權利要求1所述的半導體元件，還包含多個溝槽位于該半導體疊層 之中，并以一絕緣保護層填滿。

10.如權利要求1所述的半導體元件，其中該導電結構是導電點結構 或導電線結構。

11.如權利要求1所述的半導體元件，其中該導電結構是導電線結構， 以及還包含一電極直接形成于該導電線結構的上方。

12.一種背光模塊裝置，包含：

光源裝置，由權利要求1～11所述的任一半導體元件所組成；

光學裝置，位于該光源裝置的出光路徑上；以及

電源供應系統，提供該光源裝置所需的電源。

13.一種照明裝置，包含：

光源裝置，由權利要求1～11所述的任一半導體元件所組成；

電源供應系統，提供該光源裝置所需的電源；以及

控制元件，控制該電源供應系統輸入該光源裝置的電源。