[發明專利]制造鰭式晶體管防止旋涂玻璃絕緣層蝕刻損耗的方法

無效

• 申請號: 200810080475.0
• 申請日: 2008-02-19
• 公開（公告）號: CN101276782A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 辛東善;宋錫杓;李泳昊
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01L21/335;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云

1、一種制造鰭式晶體管的方法，包括如下的步驟：

通過蝕刻半導體襯底形成溝槽；

在該溝槽中填充易流動絕緣層，以形成限定有源區域的場絕緣層；

蝕刻與柵極形成區域接觸的易流動絕緣層的部分，以便在該有源區域中突起該柵極形成區域；

在該半導體襯底上形成保護層以填充被蝕刻的易流動絕緣層的該部分；

去除形成在該有源區域上的保護層的部分，以暴露該半導體襯底的有源區域；

清潔該半導體襯底的暴露的有源區域；

去除保留在被蝕刻的易流動絕緣層的該部分上的保護層；以及

在該有源區域中的突起的柵極形成區域上形成柵極。

2、根據權利要求1所述的制造鰭式晶體管的方法，其中在清潔該暴露的有源區域的步驟中，該半導體襯底具有形成在其表面上的氧化物層。

3、根據權利要求1所述的制造鰭式晶體管的方法，其中采用回蝕刻工藝進行去除形成在該有源區域上的保護層的該部分的步驟。

4、根據權利要求2所述的制造鰭式晶體管的方法，其中進行清潔該半導體襯底的暴露的有源區域的步驟，以去除形成在該半導體襯底上的氧化物。

5、根據權利要求4所述的制造鰭式晶體管的方法，其中通過采用稀釋的HF溶液或者HF和NH₄F混合溶液的濕法蝕刻工藝進行清潔該半導體襯底的暴露的有源區域的步驟。

6、根據權利要求1所述的制造鰭式晶體管的方法，其中該易流動的絕緣層包括旋涂玻璃絕緣層。

7、根據權利要求6所述的制造鰭式晶體管的方法，其中該旋涂玻璃絕緣層采用衍生水解聚乙烯硅氮烷、水解倍半硅氧烷、聚甲基硅氧烷、硅氧烷和硅酸鹽中的任何一種溶液形成。

8、根據權利要求1所述的制造鰭式晶體管的方法，其中該保護層包括碳聚合物。

9、根據權利要求8所述的制造鰭式晶體管的方法，其中形成該保護層包括如下步驟：

采用旋涂法涂敷該碳聚合物保護層；以及

烘焙涂敷的碳聚合物保護層。

10、根據權利要求9所述的制造鰭式晶體管的方法，其中涂敷該碳聚合物保護層使得該碳聚合物保護層在該半導體襯底的有源區域上的厚度的范圍為200至

11、根據權利要求9所述的制造鰭式晶體管的方法，其中執行該烘焙的溫度范圍為150至400℃。

12、根據權利要求1所述的制造鰭式晶體管的方法，其中采用氧等離子體蝕刻工藝進行去除保留在被蝕刻的易流動絕緣層的該部分上的保護層的步驟。

13、根據權利要求12所述的制造鰭式晶體管的方法，其中進行該氧等離子體蝕刻工藝的溫度范圍為20至300℃。