[發明專利]垂直磁記錄介質及其制造方法、磁記錄裝置

無效

• 申請號: 200810080437.5
• 申請日: 2008-02-19
• 公開（公告）號: CN101252001A
• 公開（公告）日: 2008-08-27
• 發明（設計）人: 向井良一
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: G11B5/667
• 分類號: G11B5/667;G11B5/738
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 張龍哺;馮志云

1.一種垂直磁記錄介質，包括：

襯底；

軟磁襯層，形成在所述襯底上方；

取向控制層，形成在所述軟磁襯層上方；

第一基礎層，由形成在所述取向控制層上的Ru或Ru合金的連續膜制成；

第二基礎層，包括形成在所述第一基礎層上的Ru或Ru合金的多個晶粒，所述多個晶粒通過間隙彼此分隔；以及

記錄層，包括形成在所述第二基礎層上并與所述多個晶粒分別對應的多個磁粒子以及將所述多個磁粒子彼此隔離的無磁晶界相，所述多個磁粒子中的每一個在與襯底表面基本垂直的方向上具有易磁化軸，

其中，所述第一基礎層包括在各晶界處彼此接觸而形成的多個晶粒，

構成所述第二基礎層的所述多個晶粒中的一個晶粒以與構成所述第一基礎層的所述多個晶粒中的一個晶粒相對應的方式形成，以及

其中，在所述第二基礎層中與構成所述第一基礎層的所述多個晶粒中的所述一個晶粒相對應的所述晶粒與所述取向控制層之間的界面處設置有多個晶核。

2.如權利要求1所述的垂直磁記錄介質，其中所述多個晶核中的每一個包括元素Pt、W、Ag、Au或者合金中的任一種，所述合金包含所述元素中的一種或多種。

3.如權利要求1所述的垂直磁記錄介質，其中所述多個晶核中的每一個選自Ru、Ru合金、Ti、Ta、Co和CoPt。

4.如權利要求3所述的垂直磁記錄介質，其中所述Ru合金包含選自Co、Cr、Fe、Ni、W和Mn中的至少一種元素。

5.如權利要求1所述的垂直磁記錄介質，其中所述取向控制層包括厚度為2.0nm或更大的Ta膜。

6.如權利要求1所述的垂直磁記錄介質，其中構成所述記錄層的所述多個磁粒子包含Co或Cr作為主要元素，并且所述無磁晶界相包含金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物和碳中的任一種。

7.如權利要求1所述的垂直磁記錄介質，其中在所述第一基礎層和第二基礎層的每一個中，所述Ru合金具有hcp結構，并且除了Ru之外，還包含選自Co、Cr、Fe、Ni、W和Mn中的至少一種元素。

8.一種磁記錄裝置，包括：

垂直磁記錄介質；

磁頭，在所述垂直磁記錄介質上方進行掃描；以及

驅動系統，用以使所述磁頭在所述垂直磁記錄介質上方進行掃描，所述垂直磁記錄介質包括：

襯底；

軟磁襯層，形成在所述襯底上方；

取向控制層，形成在所述軟磁襯層上方；

第一基礎層，由形成在所述取向控制層上的Ru或Ru合金的連續膜制成；

第二基礎層，包括形成在所述第一基礎層上的Ru或Ru合金的多個晶粒，以及將所述多個晶粒彼此分隔的間隙；以及

記錄層，包括形成在所述第二基礎層上并與所述多個晶粒分別對應的多個磁粒子以及將所述多個磁粒子彼此隔離的無磁晶界相，所述多個磁粒子中的每一個在與襯底表面基本垂直的方向上具有易磁化軸，

其中，所述第一基礎層包括在各晶界處彼此接觸而形成的多個晶粒，

構成所述第二基礎層的所述多個晶粒中的一個晶粒以與構成所述第一基礎層的所述多個晶粒中的一個晶粒相對應的方式形成，以及

其中，在所述第二基礎層中與構成所述第一基礎層的所述多個晶粒中的所述一個晶粒相對應的所述晶粒與所述取向控制層之間的界面處設置有多個晶核。

9.一種垂直磁記錄介質的制造方法，所述垂直磁記錄介質包括：襯底；軟磁襯層，形成在所述襯底上方；取向控制層，形成在所述軟磁襯層上方；第一基礎層，由形成在所述取向控制層上的Ru或Ru合金的連續膜制成；第二基礎層，包括形成在所述第一基礎層上的Ru或Ru合金的多個晶粒，以及將所述多個晶粒彼此分隔的間隙；以及記錄層，包括形成在所述第二基礎層上并與所述多個晶粒對應的多個磁粒子以及將所述多個磁粒子彼此隔離的無磁相，所述多個晶粒中的每一個在與襯底表面垂直的方向上具有易磁化軸，

所述方法包括如下步驟：

通過濺射工藝，在所述取向控制層上彼此分隔地沉積晶核；以及

通過在其上形成有所述晶核的所述取向控制層上進行濺射來沉積Ru或所述Ru合金，而以所述Ru或Ru合金的連續膜的形式形成所述第一基礎層。