[發(fā)明專(zhuān)利]像素結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810080413.X
• 申請(qǐng)日: 2008-02-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101226932A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 方國(guó)龍;林祥麟;廖金閱
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/02;H01L27/12;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 任默聞

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有多層結(jié)構(gòu)的金屬信號(hào)線的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的平面顯示器技術(shù)中，大多以復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管搭配多條信號(hào)線形成的像素?cái)?shù)組，像素?cái)?shù)組的各像素分別藉由來(lái)自信號(hào)線的控制信號(hào)控制本身的薄膜晶體管，配合控制信號(hào)的工作頻率選擇性的接收數(shù)據(jù)。

然而，隨著平面顯示器的尺寸增加，像素?cái)?shù)組中的信號(hào)線的電阻值也隨著增加。且隨著信號(hào)線重迭的區(qū)域增加，信號(hào)RC延遲的情形更為嚴(yán)重，導(dǎo)致信號(hào)傳遞失真。

因此，如何降低信號(hào)線的阻值以減輕信號(hào)失真，便成為決定大尺寸平面顯示器質(zhì)量良窳的重要關(guān)鍵。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，是以雙層金屬形成信號(hào)線，降低信號(hào)線的傳輸阻值，提供平面顯示器穩(wěn)定精確的信號(hào)傳輸質(zhì)量。此外，本發(fā)明所提出的制造方法可以減少掩模工藝，大幅降低生產(chǎn)成本。

根據(jù)本發(fā)明，提出一種像素結(jié)構(gòu)，包括一掃描線、一數(shù)據(jù)線、一主動(dòng)組件、一第一保護(hù)層、一第二保護(hù)層及一像素電極。掃描線具有一第一掃描金屬層及一第二掃描金屬層。數(shù)據(jù)線與掃描線交錯(cuò)排列并形成一交錯(cuò)處，其中數(shù)據(jù)線包括一第一數(shù)據(jù)金屬線段及一第二數(shù)據(jù)金屬層。第一數(shù)據(jù)金屬線段設(shè)置于與交錯(cuò)處距一第一距離之處，第二數(shù)據(jù)金屬層設(shè)置于交錯(cuò)處及第一數(shù)據(jù)金屬線段上。主動(dòng)組件電性耦接數(shù)據(jù)線與掃描線，包括一柵極、一絕緣層、一溝道層、一源極與一漏極。絕緣層部分位于柵極上，溝道層位于柵極上方的絕緣層上。源極與漏極位于溝道層上，源極耦接數(shù)據(jù)線。第一保護(hù)層及第二保護(hù)層覆蓋主動(dòng)組件并形成一第一接觸孔以露出部分漏極，第二保護(hù)層是覆蓋于漏極的部分邊緣。像素電極越過(guò)第二保護(hù)層并藉由第一接觸孔與漏極耦接。

根據(jù)本發(fā)明，提出一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括下列步驟。首先，提供一基板。接著，形成一圖案化第一金屬層于基板上，包含一柵極、一第一掃描金屬層與一第一數(shù)據(jù)金屬線段。然后，形成一圖案化絕緣層于圖案化第一金屬層上。接著，形成一圖案化半導(dǎo)體層于圖案化絕緣層上。然后，形成一圖案化第二金屬層，包括一源極、一漏極、一第二掃描金屬層與一第二數(shù)據(jù)金屬層，其中源極與漏極形成于圖案化半導(dǎo)體層上且與柵極構(gòu)成一主動(dòng)組件。第一數(shù)據(jù)金屬線段及第二數(shù)據(jù)金屬層構(gòu)成一數(shù)據(jù)線且電性連接源極，第一掃描金屬層與第二掃描金屬層構(gòu)成一掃描線且電性連接?xùn)艠O。接著，形成一圖案化保護(hù)層，部分覆蓋于漏極的部分邊緣。然后，形成一圖案化透明導(dǎo)電層，圖案化透明導(dǎo)電層包含一像素電極，像素電極越過(guò)漏極的部分邊緣的圖案化保護(hù)層且電性連接于漏極。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明。

附圖說(shuō)明

圖1繪示依照本發(fā)明實(shí)施例一的一種像素結(jié)構(gòu)的制造流程圖；

圖2A繪示實(shí)施例一的第一道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖2B繪示沿圖2A的剖面線AA’的剖面圖；

圖2C繪示沿圖2A的剖面線BB’的剖面圖；

圖3A繪示實(shí)施例一的第二道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖3B繪示沿圖3A的剖面線AA’的剖面圖；

圖3C繪示沿圖3A的剖面線BB’的剖面圖；

圖4A繪示實(shí)施例一的第三道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖4B繪示沿圖4A的剖面線AA’的剖面圖；

圖4C繪示沿圖4A的剖面線BB’的剖面圖；

圖5A繪示實(shí)施例一的第四道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖5B繪示沿圖5A的剖面線AA’的剖面圖；

圖5C繪示沿圖5A的剖面線BB’的剖面圖；

圖5D-5I繪示實(shí)施例一的第四道掩模工藝的詳細(xì)步驟示意圖；

圖6繪示依照本發(fā)明實(shí)施例二的一種像素結(jié)構(gòu)的制造流程圖；

圖7A繪示實(shí)施例二的第一道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖7B繪示沿圖7A的剖面線AA’的剖面圖；

圖7C繪示沿圖7A的剖面線BB’的剖面圖；

圖8A繪示實(shí)施例二的第二道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖8B繪示沿圖8A的剖面線AA’的剖面圖；

圖8C繪示沿圖8A的剖面線BB’的剖面圖；

圖8D-8G繪示實(shí)施例二的第二道掩模工藝的詳細(xì)步驟示意圖；

圖9A繪示實(shí)施例二的第三道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖9B繪示沿圖9A的剖面線AA’的剖面圖；

圖9C繪示沿圖9A的剖面線BB’的剖面圖；

圖10A繪示實(shí)施例二的第四道掩模工藝的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；