[發(fā)明專利]電阻式存儲器元件及其形成方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810080410.6 | 申請日： | 2008-02-18 |
| 公開（公告）號： | CN101515630A | 公開（公告）日： | 2009-08-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 曾俊元;林志洋;林群杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 任默聞 |
| 地址： | 臺灣省新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電阻 存儲器 元件 及其 形成 方法 | ||
1.一種電阻式存儲器元件，其特征在于，所述的電阻式存儲器元件包括：
一基底；
一下導電層，位于所述的基底上；
一第一電阻層，位于所述的下導電層上；
一擴散摻雜層，位于所述的第一電阻層上；
一第二電阻層，位于所述的擴散摻雜層上；以及
一上導電層，位于所述的第二電阻層上；
其中所述的擴散摻雜層的部分材質(zhì)擴散進入所述的第一電阻層與所述的第二電阻層。
2.如權(quán)利要求1所述的電阻式存儲器元件，其特征在于，所述的電阻式存儲器元件更包括一接合層，位于所述的基底與所述的下導電層之間。
3.如權(quán)利要求1所述的電阻式存儲器元件，其特征在于，所述的電阻式存儲器元件更包括一緩沖層，位于所述的下導電層與所述的第一電阻層之間。
4.如權(quán)利要求1所述的電阻式存儲器元件，其特征在于，所述的擴散摻雜層的材質(zhì)包括鉻、釩、鉬、銅、鐵、鈮、錳、金、銀、白金、或前述的組合。
5.如權(quán)利要求1所述的電阻式存儲器元件，其特征在于，所述的電阻式存儲器元件更包括至少一額外擴散摻雜層，其中所述的額外擴散摻雜層位于所述的第一電阻層的下邊界與所述的第二電阻層的上邊界之間。
6.一種電阻式存儲器元件的形成方法，所述的方法包括：
提供一基底；
于所述的基底上形成一下導電層；
于所述的下導電層上形成一第一電阻層；
于所述的第一電阻層上形成一擴散摻雜層；
于所述的擴散摻雜層上形成一第二電阻層；
于所述的第二電阻層上形成一上導電層；以及
實施一熱制造工藝使部分的所述的擴散摻雜層的材質(zhì)擴散進入所述的第一電阻層與所述的第二電阻層。
7.如權(quán)利要求6所述的電阻式存儲器元件的形成方法，所述的方法更包括于所述的基底與所述的下導電層之間形成一接合層。
8.如權(quán)利要求6所述的電阻式存儲器元件的形成方法，所述的方法更包括于所述的下導電層與所述的第一導電層之間形成一緩沖層。
9.如權(quán)利要求6所述的電阻式存儲器元件的形成方法，其中所述的擴散摻雜層的材質(zhì)包括鉻、釩、鉬、銅、金、銀、白金、或前述的組合。
10.如權(quán)利要求6所述的電阻式存儲器元件的形成方法，所述的方法更包括于所述的第一電阻層的下邊界與所述的第二電阻層的上邊界之間形成至少一額外擴散摻雜層。
11.如權(quán)利要求6所述的電阻式存儲器元件的形成方法，其中所述的熱制造工藝的加熱溫度約600℃至約1000℃。
12.如權(quán)利要求11所述的電阻式存儲器元件的形成方法，其中所述的熱制造工藝的加熱時間為約60秒至約60小時。
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