[發(fā)明專利]能降低溫漂的硅微壓阻式加速度計無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810080057.1 | 申請日： | 2008-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN101430340A | 公開（公告）日： | 2009-05-13 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張文棟;閆樹斌;沈三民;張會新;任小紅;荊彥峰;王少輝;吉喆;王寶花;姜國慶;嚴英占;趙軍;張榮彥 | 申請（專利權(quán)）人： | 中北大學 |
| 主分類號： | G01P15/12 | 分類號： | G01P15/12;B81B7/00 |
| 代理公司： | 山西太原科衛(wèi)專利事務所 | 代理人： | 朱 源 |
| 地址： | 030051山*** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 降低 硅微壓阻式 加速度計 | ||
【權(quán)利要求書】：
1、一種能降低溫漂的硅微壓阻式加速度計，包括由體硅加工工藝在硅基上加工制作的硅基框體(1)、懸臂梁(2)、通過懸臂梁(2)支懸于硅基框體(1)中間的質(zhì)量塊(3)，由離子注入工藝加工而成的設置于懸臂梁(2)與質(zhì)量塊(3)、硅基框體(1)的固定端部的應變壓敏電阻、和設置于硅基框體(1)上的基準壓敏電阻，以及設置于硅基框體(1)外的外圍調(diào)零電阻；外圍調(diào)零電阻與應變壓敏電阻、基準壓敏電阻連接構(gòu)成單個測單軸方向加速度的惠斯通電橋，或者三個分測三軸方向加速度的惠斯通電橋，其特征在于：外圍調(diào)零電阻單獨作為惠斯通電橋的一個橋臂，且所述外圍調(diào)零電阻為采用離子注入工藝在另一相同特性的硅基上制作的壓敏電阻，在制作該壓敏電阻時通過控制離子注入速度對包含該壓敏電阻的惠斯通電橋進行調(diào)零。
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