[發(fā)明專利]具有上部返回極優(yōu)化以降低尾屏蔽件突出的磁寫(xiě)入頭

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810074303.2
• 申請(qǐng)日: 2008-02-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101246694A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 埃里克·W·弗林特;蕭文千;李顯邦;楊明憲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司
• 主分類號(hào): G11B5/31
• 分類號(hào): G11B5/31;G11B5/127
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 張波

1.一種磁寫(xiě)入頭，包括：

具有朝向氣墊面設(shè)置的末端的磁寫(xiě)入極；

通過(guò)非磁性尾間隙與所述寫(xiě)入極隔開(kāi)的磁尾屏蔽件，所述尾屏蔽件具有尾緣，并且具有暴露于所述氣墊面處的前緣和與所述前緣相對(duì)的后緣，所述尾屏蔽件的前緣和后緣之間的距離定義尾屏蔽件的喉高；以及

接觸所述尾屏蔽件的所述后緣并具有一表面的非磁填充層，所述填充層的所述表面和所述尾屏蔽件的所述尾緣形成共平面表面；以及

在定義返回極喉高的區(qū)域內(nèi)與所述共平面表面接觸的磁返回極，所述返回極的喉高至少是所述尾屏蔽件的喉高的5倍。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寫(xiě)入極，其中，所述返回極在超過(guò)返回極喉高的區(qū)域內(nèi)逐漸遠(yuǎn)離所述共平面表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寫(xiě)入極，其中，所述返回極喉高大約是所述尾屏蔽件喉高的25倍。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寫(xiě)入極，其中，所述返回極具有從所述氣墊面來(lái)看的一寬度，該寬度明顯小于所述尾屏蔽件的從所述氣墊面來(lái)看的寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寫(xiě)入極，其中，所述返回極具有寬度W?1，所述尾屏蔽件具有寬度W2，并且其中W1小于1/2W2。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述磁寫(xiě)入頭，其中，所述非磁填充層包括氧化鋁。

7.一種用于垂直磁數(shù)據(jù)記錄的磁寫(xiě)入頭，包括：

具有設(shè)置于氣墊面處的末端并且具有尾緣的磁寫(xiě)入極；

具有設(shè)置在朝向所述氣墊面設(shè)置的一端處的末端和遠(yuǎn)離所述氣墊面設(shè)置的末端的第一磁返回極；

在所述返回極的遠(yuǎn)離所述氣墊面設(shè)置的末端處與所述返回極接觸的第一磁后間隙結(jié)構(gòu)；

使所述寫(xiě)入極與所述第一磁后間隙結(jié)構(gòu)磁連接的磁成形層，所述成形層從所述ABS凹進(jìn)；

在所述磁成形層和所述第一磁返回極之間延伸的第一導(dǎo)電線圈部分，所述線圈通過(guò)第一絕緣層與所述成形層、第一返回極和第一后間隙部分隔開(kāi)；

臨近所述寫(xiě)入極形成的磁尾屏蔽件，所述磁尾屏蔽件通過(guò)非磁性尾間隙層與所述寫(xiě)入極的所述尾緣隔開(kāi)，所述尾屏蔽件具有與所述寫(xiě)入極相反的尾緣，并且具有暴露于所述氣墊面處的前緣和與所述氣墊面相反的后緣，所述尾屏蔽件的前緣和后緣之間的距離定義尾屏蔽件喉高；

接觸所述尾屏蔽件的后緣的硬非磁填充層，所述非磁填充層具有一表面，所述硬非磁填充層的所述表面和所述尾磁屏蔽件的所述尾緣一起界定共平面表面；

設(shè)置在所述共平面表面之上的第二導(dǎo)電線圈部分；以及

具有設(shè)置在所述氣墊面處的前端和與所述氣墊面相反的后端的第二磁返回極，所述第二磁返回極具有朝向所述氣墊面設(shè)置的與所述共平面表面接觸的第一部分和離開(kāi)所述共平面表面在所述第二線圈部分之上延伸的第二部分，所述第二返回極的第一部分的長(zhǎng)度定義第二返回極喉高，所述第二返回極喉高至少是所述尾屏蔽件喉高的5倍。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁寫(xiě)入極，其中，所述第二返回極喉高大約是所述尾屏蔽件喉高的25倍。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁寫(xiě)入極，其中，所述硬非磁填充層包括氧化鋁。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁寫(xiě)入頭，還包括使所述第二返回極在從所述氣墊面移開(kāi)的區(qū)域內(nèi)與所述成形層磁連接的第二磁后間隙結(jié)構(gòu)。

11.一種用于垂直磁記錄的磁寫(xiě)入頭，包括：

具有設(shè)置于氣墊面處的末端并且具有尾緣的磁寫(xiě)入極；

與所述寫(xiě)入極相鄰的尾磁屏蔽件，所述尾磁屏蔽件具有設(shè)置在所述氣墊面處的前緣和與所述前緣相反的后緣，所述前緣和后緣之間的距離定義尾屏蔽件喉高，所述尾屏蔽件還具有與所述寫(xiě)入極相反并且從所述前緣延伸至所述后緣的尾緣；

將所述尾屏蔽件與所述寫(xiě)入極的所述尾緣隔離的非磁性尾間隙；

接觸所述尾屏蔽件的所述后緣并離開(kāi)所述氣墊面延伸的第一非磁填充層，所述第一填充層具有與所述尾屏蔽件的所述尾緣形成共平面表面的表面；

從所述尾屏蔽件的所述尾緣延伸的第一磁返回極部分；

與所述第一返回極部分磁連接并離開(kāi)所述氣墊面延伸的第二返回極部分；以及

設(shè)置在所述共平面表面和所述第二返回極部分之間的包括氧化鋁的第二填充層，所述第二填充層接觸所述第一返回極部分。