[發明專利]一種用來制造具有柱狀底電極相變化存儲裝置的方法

有效

• 申請號: 200810074221.8
• 申請日: 2008-02-13
• 公開（公告）號: CN102522374A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 龍翔瀾;陳介方;陳逸舟;陳士弘;藍中弘;喬瑟夫;艾瑞克安德魯;史克魯特;亞歷桑德羅加布里爾;馬修J·布雷杜斯克;柏爾;杰弗里威廉;漢普D·湯瑪斯;菲利普;騫鮑里斯
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司;國際商用機器公司;奇夢達股份有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C16/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.?一種制造多個存儲單元的方法，其特征在于，該方法包含：

提供一包含供該多個存儲單元用的存取電路的一襯底，該襯底具有一導電接點陣列的一接點表面，且該導電接點陣列連接至該存取電路；

在該襯底的該接點表面上形成一底電極材料層；

移除該底電極材料層的一部分，以形成一電極柱圖案于導電接點陣列中相對應的導電接點上；

形成一介電材料層，而其覆蓋于該電極柱圖案及該接點表面的裸露部位；

平面化該介電材料層及該電極柱，以提供一電極表面來露出該電極柱圖案中的該電極柱頂部；

在該電極表面上形成一可編程電阻材料層；

在該可編程電阻材料層上形成一頂電極材料層；以及

圖案化該可編程電阻材料層及該頂電極材料層。

2.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于，該方法進一步包含形成一掩膜于該底電極材料層上以定義一多個塊體圖案，包含以光刻方式定義一光刻圖案，該光刻圖案包含在該導電接點陣列內的導電接點上刻蝕該掩膜，以及剪裁該掩膜以產生具有次光刻尺寸的一塊體圖案，且其中該剪裁移除步驟包含非等向刻蝕該底電極材料層，以移除未被該塊體圖案所覆蓋的材料。

3.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于，該底電極材料層包含適合與該可編程電阻材料電性接觸的一第一材料，以及適合與該接點陣列電性接觸的一第二材料。

4.?根據權利要求3所述的方法，其特征在于，該第一材料具有高于該第二材料的電阻率。

5.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于，該電極柱具有一底表面與該接點陣列中的接點相接觸，以及一頂表面與該可編程電阻材料層相接觸，以及該底表面的面積大于該頂表面的面積。

6.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于，包含于該平面化步驟時，監測該介電層的厚度、以及當檢測至一預定厚度時停止平面化步驟。

7.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于，包含于該平面化步驟之后、選擇性地移除該電極柱頂部一部位，以形成一凹陷于該電極柱頂部，以及其中可編程電阻材料層的形成包含在該凹陷填充可編程電阻材料。

8.?一種制造多個存儲單元的方法，其特征在于，該方法包含：

提供一供該多個存儲單元用的存取電路的一襯底，該襯底具有一導電接點陣列的一接點表面，且該導電接點陣列連接至該存取電路；

在該襯底的該接點表面上形成一底電極材料層；

移除底電極材料層的材料以形成一電極柱圖案在導電接點陣列中相對應的導電接點上，其中該電極材料柱具有一底表面與在該導電接點陣列中對應的導電接點電性連結；

形成一介電擴散勢壘材料層，而其覆蓋于該電極柱圖案及該接點表面；

平面化該介電擴散勢壘材料層及電極柱，以提供一具有厚度小于120納米的一底電極層，并于該電極柱圖案內具有一電極表面裸露出該電極柱的頂表面，該電極柱的頂表面具有小于2000nm²的面積且于該電極柱圖案中實質地均勻；

在該電極表面上形成一可編程電阻材料層，該可編程電阻材料包含具有一厚度小于120nm的一相變化材料；

在該可編程電阻材料層上形成一頂電極材料層；以及

圖案化該可編程電阻材料層及該頂電極材料層。

9.?根據權利要求8所述的方法，其特征在于，該平面化步驟包含：監測該介電層的厚度、以及當檢測至一小于120納米的預定厚度時停止平面化步驟。

10.?根據權利要求8所述的方法，其特征在于，包含于該平面化步驟之后：選擇性地移除該電極柱頂部一部位以形成一凹陷于該電極柱頂部，以及其中編程電阻材料層的形成包含在該凹陷填充相變化材料。