[發(fā)明專利]非易失性半導(dǎo)體存儲器件的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810074158.8
• 申請日: 2005-06-23
• 公開（公告）號: CN101241881A
• 公開（公告）日: 2008-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 三谷祐一郎;松下大介
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/31
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 康建忠

1.一種非易失性半導(dǎo)體存儲器件的制造方法，包括以下步驟：

通過直接氮化第一導(dǎo)電類型的硅襯底的主面形成氮化硅膜，然后在氧化氣氛中加熱所述襯底，以形成多個氧化硅膜，一個位于所述氮化硅膜和所述襯底之間的界面中，另一個位于所述氮化硅膜上，所述多個氧化硅膜和所述氮化硅膜形成第一柵絕緣膜；

在所述第一柵絕緣膜上形成浮柵電極；

在所述浮柵電極上形成第二柵絕緣膜；

在所述第二柵絕緣膜上形成控制柵電極；以及

在所述襯底的所述主面中形成第二導(dǎo)電類型的源區(qū)和漏區(qū)，在所述源區(qū)和漏區(qū)之間設(shè)置所述第一柵絕緣膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，形成氮化硅膜的步驟包含通過等離子氮化直接氮化所述襯底的所述主面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中，形成所述氮化硅膜的步驟包含將在通過等離子氮化來氮化所述襯底時加熱所述襯底的溫度設(shè)置為800℃或更高。

4.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中，形成所述氮化硅膜的步驟包含將通過等離子氮化來氮化所述襯底的氣壓設(shè)置為13Pa或更高。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，形成所述氮化硅膜的步驟包含將在氧化所述氮化硅膜時加熱所述襯底的溫度設(shè)置為900℃或更高。

6.一種非易失性半導(dǎo)體存儲器件的制造方法，包括以下步驟：

通過直接氮化第一導(dǎo)電類型的硅襯底的主面形成氮化硅膜，然后在所述氮化硅膜上形成硅膜，然后在氧化氣氛中加熱所述襯底，以氧化所述硅膜并形成第一氧化硅膜，并在所述氮化硅膜和所述襯底之間的界面中形成第二氧化硅膜，所述氮化硅膜、所述第一氧化硅膜和所述第二氧化硅膜形成第一柵絕緣膜；

在所述第一柵絕緣膜上形成浮柵電極；

在所述浮柵電極上形成第二柵絕緣膜；

在所述第二柵絕緣膜上形成控制柵電極；以及

在所述襯底的所述主面中形成第二導(dǎo)電類型的源區(qū)和漏區(qū)，在所述源區(qū)和漏區(qū)之間設(shè)置所述第一柵絕緣膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中，形成氮化硅膜的步驟包含通過等離子氮化直接氮化所述襯底的所述主面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中，形成所述氮化硅膜的步驟包含將在通過等離子氮化來氮化所述襯底時加熱所述襯底的溫度設(shè)置為800℃或更高。

9.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中，形成所述氮化硅膜的步驟包含將通過等離子氮化來氮化硅所述襯底的氣壓設(shè)置為13Pa或更高。

10.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中，形成所述氮化硅膜的步驟包含將在氧化所述氮化硅膜時加熱所述襯底的溫度設(shè)置為900℃或更高。

11.一種非易失性半導(dǎo)體存儲器件的制造方法，包括以下步驟：

通過直接氮化第一導(dǎo)電類型的硅襯底的主面形成第一氮化硅膜，然后在氧化氣氛中加熱所述襯底，以形成多個第一氧化硅膜，一個位于所述第一氮化硅膜和所述襯底之間的界面中，另一個位于所述第一氮化硅膜上，所述第一氮化硅膜和所述多個第一氧化硅膜形成第一柵絕緣膜；

在所述第一柵絕緣膜上形成由多晶硅膜形成的浮柵電極；

通過直接氮化所述浮柵電極的表面形成第二氮化硅膜，然后在氧化氣氛中加熱所述襯底，以形成多個第二氧化硅膜，一個位于所述第二氮化硅膜和所述浮柵電極之間的界面中，另一個位于所述第二氮化硅膜上，所述第二氮化硅膜和所述多個第二氧化硅膜形成第二柵絕緣膜；

在所述第二柵絕緣膜上形成控制柵電極；以及

在所述襯底的所述主面中形成第二導(dǎo)電類型的源區(qū)和漏區(qū)，在所述源區(qū)和漏區(qū)之間設(shè)置所述第一氮化硅膜。