[發(fā)明專利]基板載置臺(tái)及用于其的表面處理方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810074117.9 | 申請(qǐng)日: | 2008-02-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101246836A | 公開(公告)日: | 2008-08-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樋熊政一;佐佐木康晴;青砥雅;菊池英一郎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;C23F4/00;C23C16/458;C23C14/50;C30B25/12 |
| 代理公司: | 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 沙捷 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基板載置臺(tái) 用于 表面 處理 方法 | ||
1.一種基板載置臺(tái),其布置在對(duì)基板執(zhí)行處理的基板處理設(shè)備中并具有在其上載置基板的基板載置表面,其中:
基板載置表面的算術(shù)平均粗糙度Ra不小于第一預(yù)定值,并且基板載置表面的初期磨損高度Rpk不大于第二預(yù)定值,并且
所述第一預(yù)定值為0.45,且所述第二預(yù)定值為0.35。
2.如權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái),其中所述基板載置表面的粗糙度曲線偏斜度Rsk不大于-1.5。
3.如權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái),其中所述基板載置表面的粗糙度曲線的相對(duì)負(fù)荷長(zhǎng)度率Rmr(-1.5μm)不小于50%。
4.如權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái),其中所述基板載置表面的粗糙度曲線的相對(duì)負(fù)荷長(zhǎng)度率Rmr(-0.5μm)不小于5%。
5.如權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái),其中所述基板載置表面的最大高度粗糙度Rz不小于3。
6.如權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái),其中通過(guò)將所述基板載置表面的核心部分高度差Rk和油積存深度Rvk加在一起而獲得的值不小于2。
7.如權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái),其中所述基板載置表面的算術(shù)平均波紋度Wa不小于0.07。
8.如權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái),其中所述基板載置表面的最大高度波紋度Wz不小于0.4。
9.一種基板載置臺(tái),其布置在對(duì)基板執(zhí)行處理的基板處理設(shè)備中并具有在其上載置基板的基板載置表面,其中:
基板載置表面具有與基板接觸的多個(gè)突起,并且基板載置表面在其頂表面中具有多個(gè)突起和相鄰?fù)黄鹬g形成的多個(gè)凹部,并且所述突起的頂部被平滑化,
并且基板載置表面的初期磨損高度Rpk不大于預(yù)定值,所述預(yù)定值為0.35。
10.一種用于基板載置臺(tái)的基板載置表面的表面處理方法,所述基板載置臺(tái)布置在對(duì)基板執(zhí)行處理的基板處理設(shè)備中并且基板被載置在所述基板載置臺(tái)上,所述表面處理方法包括:
處理基板載置表面使得基板載置表面的算術(shù)平均粗糙度Ra不小于第一預(yù)定值的處理步驟;以及
對(duì)在所述處理步驟中處理的基板載置表面進(jìn)行處理使得基板載置表面的初期磨損高度Rpk不大于第二預(yù)定值的平滑化步驟,
其中,所述第一預(yù)定值為0.45,且所述第二預(yù)定值為0.35。
11.如權(quán)利要求10所述的表面處理方法,其中所述處理步驟包括平坦化所述基板載置表面的平坦化步驟,和粗糙化在所述平坦化步驟中平坦化的基板載置表面的粗糙化步驟。
12.如權(quán)利要求10所述的表面處理方法,其中在所述平滑化步驟中,使用從磨帶、精磨板和襯墊中選擇的一個(gè)部件來(lái)執(zhí)行精磨處理,所述磨帶、精磨板和襯墊都涂布有粒徑等于或小于所述基板載置表面的材料的粒徑的細(xì)微磨粒。
13.如權(quán)利要求10所述的表面處理方法,其中在所述平滑化步驟中,將硬度比所述基板載置表面的材料的硬度低的部件壓在所述基板載置表面上,并滑動(dòng)該部件。
14.如權(quán)利要求10所述的表面處理方法,其中在所述平滑化步驟中,將硬度比所述基板載置表面的材料的硬度高的部件壓在所述基板載置表面上,并滑動(dòng)該部件。
15.如權(quán)利要求10所述的表面處理方法,其中在所述平滑化步驟中,執(zhí)行將按壓部件重復(fù)地或以預(yù)定壓力壓在所述基板載置表面上的壓縮處理。
16.如權(quán)利要求10所述的表面處理方法,其中所述基板載置臺(tái)包括靜電卡盤,該靜電卡盤將待處理的部件吸附到其上,并且
在所述平滑化步驟中,將待處理的部件載置在所述基板載置表面上,并且靜電卡盤將待處理的部件吸附到其上。
17.如權(quán)利要求10所述的表面處理方法,其中所述基板載置臺(tái)包括靜電卡盤,該靜電卡盤將待處理的部件吸附到其上,并且
在所述平滑化步驟中,重復(fù)地執(zhí)行加熱步驟和冷卻步驟,在所述加熱步驟中,將待處理的部件載置在所述基板載置表面上,并加熱待處理的部件,使得待處理的部件熱膨脹,在所述冷卻步驟中,冷卻待處理的部件使得待處理的部件收縮。
18.如權(quán)利要求16所述的表面處理方法,其中在所述平滑化步驟中,所述靜電卡盤還重復(fù)地使所述待處理的部件附著在其上和從其上脫離。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





