[發(fā)明專利]一種新型錫酸鋇基導(dǎo)電陶瓷及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810073871.0 | 申請日： | 2008-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN101402522A | 公開（公告）日： | 2009-04-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉心宇;楊華斌;黃晉;袁昌來 | 申請（專利權(quán)）人： | 桂林電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | C04B35/457 | 分類號： | C04B35/457;C04B35/622 |
| 代理公司： | 桂林市華杰專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 | 代理人： | 羅玉榮 |
| 地址： | 541004廣*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 新型 錫酸鋇基 導(dǎo)電 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1、一種錫酸鋇基導(dǎo)電陶瓷材料，其特征在于：在易于半導(dǎo)體化的BaSnO3中添加銻的氧化物，實(shí)現(xiàn)施主摻雜，形成導(dǎo)電陶瓷，其成分可以用通式BaSbxSn1-xO3來表示，其中0＜x≤0.2。
2、一種錫酸鋇基導(dǎo)電陶瓷材料的制備方法，包括配料、研磨、成型、烘干、燒結(jié)的制備陶瓷工藝，其特征在于：所用原料為BaCO3、SnO2和Sb2O3，原料配比為BaCO3∶SnO2∶Sb2O3＝1∶1-x∶x/2的摩爾比稱重(0＜x≤0.2)。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于桂林電子科技大學(xué)，未經(jīng)桂林電子科技大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810073871.0/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 透明導(dǎo)電膜用靶、透明導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜
- 透明導(dǎo)電膜用靶、透明導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜
- 導(dǎo)電糊劑及導(dǎo)電圖案
- 導(dǎo)電圖案的形成方法、導(dǎo)電膜、導(dǎo)電圖案及透明導(dǎo)電膜
- 導(dǎo)電片和導(dǎo)電圖案
- 導(dǎo)電漿料和導(dǎo)電膜
- 導(dǎo)電端子及導(dǎo)電端子的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)
- 導(dǎo)電構(gòu)件及使用多個導(dǎo)電構(gòu)件的導(dǎo)電電路
- 導(dǎo)電型材和導(dǎo)電裝置
- 透明導(dǎo)電膜用靶、透明導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜
