[發明專利]氧化鋅晶體及其制備方法無效
| 申請號： | 200810073861.7 | 申請日： | 2008-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN101723435A | 公開（公告）日： | 2010-06-09 |
| 發明（設計）人： | 張昌龍;左艷彬;周衛寧;呂智;霍漢德;盧福華;覃世杰;張海霞;李東平;何小玲 | 申請（專利權）人： | 桂林礦產地質研究院 |
| 主分類號： | C01G9/02 | 分類號： | C01G9/02 |
| 代理公司： | 桂林市持衡專利商標事務所有限公司 45107 | 代理人： | 馬蘭 |
| 地址： | 541004 廣*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化鋅 晶體 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.氧化鋅晶體，其特征在于：所述氧化鋅晶體是摻鈧的氧化鋅晶體。
2.根據權利要求1所述的氧化鋅晶體，其特征在于：0.0001％以上。
3.根據權利要求2所述的氧化鋅晶體，其特征在于：氧化鋅晶體中的氧化鈧的重量占晶體總重量的0.001～3％。
4.根據權利要求1所述的氧化鋅晶體，其特征在于：所述氧化鋅晶體為氧化鋅體單晶。
5.氧化鋅晶體的制備方法，其特征為該方法是在制備ZnO晶體過程摻入鈧。
6.根據權利要求5所述的氧化鋅晶體的制備方法，其特征為氧化鋅晶體為氧化鋅體單晶。
7.根據權利要求5所述的氧化鋅晶體的制備方法，其特征為所述氧化鋅晶體的合成方法是水熱法、助熔劑法、CVD法、高壓熔體法中的一種。
8.根據權利要求5所述的氧化鋅晶體的制備方法，其特征為是使用含Sc2O3試劑在生長ZnO晶體時摻鈧。
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