[發明專利]一種低半波電壓的電光開關無效
| 申請號： | 200810072381.9 | 申請日： | 2008-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN101750759A | 公開（公告）日： | 2010-06-23 |
| 發明（設計）人： | 江楓;吳少凡;莊松巖;鄭熠 | 申請（專利權）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/03 | 分類號： | G02F1/03;H01S3/115 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 350002 福建省*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低半波 電壓 電光 開關 | ||
【權利要求書】：
1.一種低半波電壓的電光開關，包括絕緣殼體(201)，電光晶體(202)，在晶體一對側面鍍有金屬導電層(203)，金屬導電層外貼有銦箔(204)，銦箔外緊貼著內部金屬電極(205)，內部金屬電極外留有外接金屬電極孔(206)。
2.如權利1所述的電光開關，其特征在于：所述的電光晶體(202)為Z切橫向應用方式并在一對通光面上鍍有光學增透膜。
3.如權利1所述的電光開關，其特征在于：所述的電光晶體(202)可為單塊晶體或多塊晶體串接。
4.如權利1或2或3所述的電光開關，其特征在于：所述的電光晶體(202)為BBO或LiNbO3或LiTaO3或RTA或RTP或KTP或LGS等橫向應用的電光晶體。
5.如權利1所述的電光開關，其特征在于：金屬導電層(203)的長度比晶體(202)的長度短0.2至1mm。
6.如權利1所述的電光開關，其特征在于：銦箔(204)和內部金屬電極(205)大小及長度小于或等于晶體側面的金屬導電層(203)的大小及長度，且均比晶體(202)長度短0.2至1mm。
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