[發明專利]一種高亮度發光二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 200810072162.0
• 申請日: 2008-11-14
• 公開（公告）號: CN101442092A
• 公開（公告）日: 2009-05-27
• 發明（設計）人: 黃尊祥;楊凱;李濤;彭紹文
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 廈門市新華專利商標代理有限公司
• 代理人: 李 寧

1.一種高亮度發光二極管，在導電基板上依序形成第二半導體層、活性層和第一半導體層，其特征在于：導電基板的另一面形成第二歐姆接觸電極，第一半導體層上形成第一歐姆接觸電極和肖特基接觸焊線電極，且肖特基接觸焊線電極與第一歐姆接觸電極電連接，第一歐姆接觸電極的形狀為連續的線型、連續的網格狀、連續的圓環或不連續的線型、不連續的網格狀、不連續的圓環。

2.如權利要求1所述的一種高亮度發光二極管，其特征在于：所述肖特基接觸焊線電極為圓形、四邊形、六邊形或八邊形，在芯片發光區的任意位置與第一歐姆接觸電極接觸。

3.如權利要求1所述的一種高亮度發光二極管，其特征在于：所述第二歐姆接觸電極為鋪滿了整個導電基板的面電極結構。

4.如權利要求1所述的一種高亮度發光二極管，其特征在于：所述第二歐姆接觸電極為不鋪滿整個導電基板的點電極結構。

5.如權利要求1所述的一種高亮度發光二極管，其特征在于：制造方法包含以下步驟：

(1)提供一導電基板；

(2)在導電基板上形成第二半導體層；

(3)在第二半導體層上形成活性層；

(4)在活性層上形成第一半導體層；

(5)在第一半導體層上形成具有第一歐姆接觸電極；

(6)在第一半導體層上形成焊線電極，使焊線電極的邊緣與第一歐姆接觸電極連接；

(7)在導電基板的另一面形成第二歐姆接觸電極。

6.如權利要求5所述的一種高亮度發光二極管的制造方法，其特征在于：步驟(5)第一歐姆接觸電極使用金、鎳、鈹、鍺、鋅、銀、鋁、鈦、鉻金屬的單層或多層金屬材料或多層包含二種以上多金屬合金材料。

7.如權利要求5所述的一種高亮度發光二極管的制造方法，其特征在于：步驟(6)肖特基接觸焊線電極使用金、鎳、銀、鋁、鈦、鉻、鉑等金屬的單層或多層金屬材料或多層包含二種以上多金屬合金材料。

8.如權利要求5所述的一種高亮度發光二極管的制造方法，其特征在于：步驟(7)第二歐姆接觸電極使用金、鎳、鈹、鍺、鋅、銀、鋁、鈦、鉻等金屬的單層或多層金屬材料或多層包含二種以上多金屬合金材料。