[發明專利]一種晶體生長提拉裝置無效
| 申請號: | 200810072129.8 | 申請日: | 2008-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN101736395A | 公開(公告)日: | 2010-06-16 |
| 發明(設計)人: | 鄒宇琦;葉寧 | 申請(專利權)人: | 中國科學院福建物質結構研究所 |
| 主分類號: | C30B15/30 | 分類號: | C30B15/30 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 350002 *** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶體生長 裝置 | ||
1.一種高溫、高真空、可用于氣氛生長的晶體生長提拉裝置設計。真空套管(4)、稱重旋轉室(5)、提拉系統(6)、小爐蓋提拉下降手動搖柄(7)、籽晶桿手動提拉下降手動搖柄(8)、提拉系統固定(9)、定位扳手(10)、下支撐桿(11)、下支撐桿固定(12)。
2.根據權利要求1所述的晶體生長提拉裝置,其特征在于:所述的籽晶桿部分(4、5)可沿垂直地面方向,以下支撐桿(11)為軸心水平旋轉360°,在任意角度固定。
3.根據權利要求1所述的晶體生長提拉裝置,其特征在于:所述的籽晶桿為雙夾層水冷套結構。
4.根據權利要求1所述的晶體生長提拉裝置,其特征在于:所述的水冷套外部與爐蓋的連接采用真空密封管。
5.根據權利要求1所述的晶體生長提拉裝置,其特征在于:所述的裝置有手動和自動提拉兩部分構成,自動提拉速度精度高于0.05mm/h。
6.根據權利要求1所述的晶體生長提拉裝置,其特征在于:所述的籽晶桿轉速為0-50rpm。
7.根據權利要求1所述的晶體生長提拉裝置,其特征在于:所述的裝置具有自動稱重系統(5)。
8.根據權利要求1所述的晶體生長提拉裝置,其特征在于:所述的本裝置籽晶桿為一套真空裝置系統,真空條件實用范圍:真空度大于10-3pa量級。
9.根據權利要求1所述的晶體生長提拉裝置,其特征在于:所述的裝置籽晶桿具為一套真空裝置系統,可進行氣氛生長。
10.根據權利要求1所述的晶體生長提拉裝置,其特征在于:所述的支撐部分為上下兩層,下層為下支撐桿(11)及下支撐桿固定裝置,起旋轉和支撐作用;上層為提拉系統,起籽晶桿升降作用。
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