[發明專利]一種兩片式結構的腔內倍頻微片激光器的加工方法

無效

• 申請號: 200810072127.9
• 申請日: 2008-11-14
• 公開（公告）號: CN101404380A
• 公開（公告）日: 2009-04-08
• 發明（設計）人: 張山從;陳建林
• 申請（專利權）人: 福建華科光電有限公司
• 主分類號: H01S3/109
• 分類號: H01S3/109
• 代理公司: 廈門市新華專利商標代理有限公司
• 代理人: 翁素華

1.一種兩片式結構的腔內倍頻微片激光器的加工方法，其加工步驟包括：雙折射型激光晶體及II類位相匹配倍頻晶體分別毛坯定向、切割、大片磨砂、拋光、大片鍍膜、雙折射型激光晶體與II類位相匹配倍頻晶體之間固定，其特征在于：雙折射型激光晶體拋光步驟中還含有位相差控制步驟，使得雙折射型激光晶體被加工成在該激光器實際工作溫度下所輸出倍頻光的高級次半波片或全波片。

2.如權利要求1所述的一種兩片式結構的腔內倍頻微片激光器的加工方法，其特征在于：所述位相差控制步驟所對應的拋光為雙折射型激光晶體的最后一次表面拋光。

3.如權利要求1所述的一種兩片式結構的腔內倍頻微片激光器的加工方法，其特征在于：所述位相差控制步驟中所用的位相差控制方法是測量雙折射型激光晶體中o、e倍頻光的位相差或測量雙折射型激光晶體的幾何厚度。

4.如權利要求3所述的一種兩片式結構的腔內倍頻微片激光器的加工方法，其特征在于：所述位相差或幾何厚度的計算步驟如下：

假設在微片激光器的實際工作溫度t₁時，要求雙折射型激光晶體為所輸出倍頻光的高級次半波片或全波片，則雙折射型激光晶體中o、e倍頻光的位相差滿足：

則在測量環境溫度為t₂時，該雙折射型激光晶體中o、e倍頻光的位相差應為：

以上部分參數之間的關系為：

n_o(t₁)＝n_o(t₂)+(dn_o/dt)*(t₁-t₂)????????????(3)

n_e(t₁)＝n_e(t₂)+(dn_e/dt)*(t₁-t₂)????????????(4)

Lt₂＝[1+α*(t₂-t₁)]*Lt₁????????????????????(5)

根據以上公式，當已知部分參數時即可得出相應的位相差值或厚度值，其中，K為正整數，Lt₁、Lt₂分別為雙折射型激光晶體在溫度t₁、t₂時所對應的幾何厚度，單位與倍頻光波長λ_2ω相同，n_e(t₁)、n_e(t₂)分別為雙折射型激光晶體在溫度t₁、t₂時所對應的波長λ_2ω處e光折射率，n_o(t₁)、n_o(t₂)分別為雙折射型激光晶體在溫度t₁、t₂時所對應的波長λ_2ω處o光折射率，α為雙折射型激光晶體在溫度t₁～t₂范圍內沿通光方向上的線膨脹系數，dn_o/dt、dn_e/dt分別對應雙折射型激光晶體在溫度t₁～t₂范圍內波長為λ_2ω時o、e光的熱光系數。

5.如權利要求1所述的一種兩片式結構的腔內倍頻微片激光器的加工方法，其特征在于：所述兩片式結構的腔內倍頻微片激光器只含有一片雙折射型激光晶體和一片II類位相匹配倍頻晶體，所述的雙折射型激光晶體、II類位相匹配倍頻晶體的光軸與通光方向垂直，且雙折射型激光晶體與II類位相匹配倍頻晶體二者的光軸成45°夾角。

6.如權利要求1所述的一種兩片式結構的腔內倍頻微片激光器的加工方法，其特征在于：所述的雙折射型激光晶體及II類位相匹配倍頻晶體大片鍍膜是指兩者分別鍍制有不同膜層，不同膜層包括前腔鏡膜和后腔鏡膜兩種，其中前腔鏡膜為對基頻光及倍頻光高反射，泵浦光高透過的膜層，后腔鏡膜為對基頻光高反射及倍頻光高透過的膜層。