[發明專利]一種P型導電性的碘化亞銅單晶體及其水熱生長方法

有效

• 申請號: 200810071339.5
• 申請日: 2008-07-03
• 公開（公告）號: CN101619487A
• 公開（公告）日: 2010-01-06
• 發明（設計）人: 陳達貴;林文文;黃豐;王永凈;林璋
• 申請（專利權）人: 中國科學院福建物質結構研究所
• 主分類號: C30B29/12
• 分類號: C30B29/12;C30B7/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種P型導電性的CuI單晶體，其特征在于：CuI晶體為γ相立方閃鋅礦結 構，是具有直接帶隙的P型半導體，晶體中摻雜了碘或硫或硒，摻雜質量百 分含量為10～1000ppm，其載流子濃度大于10¹⁵cm^-3，載流子遷移率大于10 cm²·V^-1·s^-1。

2.如權利要求1所述的P型導電性的CuI單晶體，其特征在于：該晶體的生長 方法為水熱法，包括如下步驟：將CuI粉末培養料放入高壓釜下部的溶解區， 將CuI籽晶放入高壓釜的上部生長區，往高壓釜中加入含有碘化銨、溴化銨、 碘化鉀、碘化鈉、碘化鋰中的一種或幾種的組合礦化劑水溶液，溶質摩爾濃 度為0.3～6.0mol/L，同時添加0.001～1％的碘或硫化物或硒化物。控制溶 解區溫度為140～230℃，生長區的溫度為120～210℃，使溶解區的溫度高 于生長區的溫度，控制溫差為20～80℃，工作壓力為1.0～50MPa，恒溫生 長，最后降溫開釜，即得到CuI晶體。

3.根據權利要求2所述的P型導電性的CuI單晶體的生長方法，其特征在于： 所述的硫化物為硫化鉀或硫化鈉或硫化鋰；所述的硒化物為硒化鉀或硒化鈉 或硒化鋰。

4.根據權利要求2所述的P型導電性的CuI單晶體的生長方法，其特征在于： 所述的組合礦化劑水溶液的填充度為50～90％。

5.根據權利要求2所述的P型導電性的CuI單晶體的生長方法，其特征在于： 所述的溶解區溫度為180～200℃。

6.根據權利要求2所述的P型導電性的CuI單晶體的生長方法，其特征在于： 所述的生長區溫度為140～160℃。

7.根據權利要求2所述的P型導電性的CuI單晶體的生長方法，其特征在于： 所述的溫差為40～60℃。