[發明專利]微片式電光調Q激光器的結構無效
| 申請號： | 200810071319.8 | 申請日： | 2008-07-02 |
| 公開（公告）號： | CN101304150A | 公開（公告）日： | 2008-11-12 |
| 發明（設計）人： | 吳礪;陳新;盧秀愛;陳衛民;凌吉武 | 申請（專利權）人： | 福州高意通訊有限公司 |
| 主分類號： | H01S3/08 | 分類號： | H01S3/08;H01S3/16;H01S3/108;H01S3/109;H01S3/115;H01S3/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 350014福建省福州市晉*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 微片式 電光 激光器 結構 | ||
1、微片式電光調Q激光器的結構，包括半導體激光器、光學耦合系統以及微片激光器， 微片激光器包括激光增益介質、偏振起偏器、電光調Q晶體或透明陶瓷，微片激光器的激光 入射面和出射面分別鍍有前腔膜和后腔膜，其特征在于：微片激光器中各光學元件通過光膠 或深化光膠粘結成一整體。
2、根據權利要求1所述的微片式電光調Q激光器的結構，其特征在于：其微片激光器 的激光出射面可以設有聚焦透鏡。
3、根據權利要求1或2所述的微片式電光調Q激光器的結構，其特征在于：其激光增 益介質采用材料為Nd:YVO4、Nd:GdVO4、Nd:YAG、Nd:LuVO4、Nd:KGW等Nd離子激光增 益介質。
4、根據權利要求1或2所述的微片式電光調Q激光器的結構，其特征在于：其偏振起 偏器采用PBS棱鏡、Walk-off晶體、雙折射楔角片偏振起偏器。
5、根據權利要求1或2所述的微片式電光調Q激光器的結構，其特征在于：其微片激 光器中還設有拉曼晶體，其設置在偏振起偏器前端。
6、根據權利要求5所述的微片式電光調Q激光器的結構，其特征在于：其拉曼晶體材 料為YVO4、GdVO4、LuVO4、KGW。
7、根據權利要求5所述的微片式電光調Q激光器的結構，其特征在于：其激光增益介 質同時為拉曼介質的激光晶體材料，其材料如Nd:YVO4、Nd:GdVO4。
8、根據權利要求1或2所述的微片式電光調Q激光器的結構，其特征在于：其微片激 光器中還設有其它光學元件如倍頻晶體或參量振蕩晶體，或倍頻晶體同時為參量振蕩晶體的 材料，如KTP，其設置在偏振起偏器前端。
9、根據權利要求1或2所述的微片式電光調Q激光器的結構，其特征在于：其微片激 光器中還設有OPO晶體，其設置在偏振起偏器前端。
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