[發(fā)明專利]一種硅的冶煉方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810070924.3 | 申請日： | 2008-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN101559947A | 公開（公告）日： | 2009-10-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄭智雄;林霞;戴文偉;胡滿根;聞?wù)鹄?/a>;洪紫州 | 申請（專利權(quán)）人： | 廈門市三晶陽光電力有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/025 | 分類號： | C01B33/025 |
| 代理公司： | 廈門市首創(chuàng)君合專利事務(wù)所有限公司 | 代理人： | 張松亭 |
| 地址： | 361000福建省廈門*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 冶煉 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種硅的冶煉方法，包括以下步驟：
A、取重量比為1∶3的碳、二氧化硅粉碎至40目以下，混合均勻；
B、加入濃度為20％～30％、體積為步驟A中碳和二氧化硅的混合粉末的1/4～1/2的 NaOH、KOH溶液，攪拌混勻1～3小時后，在800℃～1000℃下將混勻的混合物 擠壓成塊狀；
C、將步驟B中得到的塊狀物切割成1～3cm3的長方體或正方體塊料，投入電弧爐中 冶煉得到純度大于99％的金屬硅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的硅的冶煉方法，其特征在于：所述二氧化硅優(yōu)選為半導(dǎo)體行 業(yè)使用的殘次石英坩堝，所述碳優(yōu)選為石墨或/和碳素加工行業(yè)剩余的邊角下腳料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的硅的冶煉方法，其特征在于：步驟B采用的溶液優(yōu)選為NaOH 溶液。
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