[發(fā)明專利]一種陣列式微諧振腔可調(diào)集成光學(xué)濾波器無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810070878.7 | 申請(qǐng)日： | 2008-04-09 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101261345A | 公開（公告）日： | 2008-09-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孫志軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 廈門大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | G02B6/34 | 分類號(hào)： | G02B6/34;G02B6/12 |
| 代理公司： | 廈門南強(qiáng)之路專利事務(wù)所 | 代理人： | 馬應(yīng)森 |
| 地址： | 361005福*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 陣列 式微 諧振腔 可調(diào) 集成 光學(xué) 濾波器 | ||
1.一種陣列式微諧振腔可調(diào)集成光學(xué)濾波器，其特征在于設(shè)有襯底，在襯底上設(shè)有下層金屬薄膜，在下層金屬薄膜上設(shè)有介質(zhì)層，在介質(zhì)層中間鑲嵌著金屬光柵層，在介質(zhì)層上又設(shè)有上層金屬薄膜，金屬光柵層設(shè)有若干陣列單元，在不同的陣列單元內(nèi)金屬光柵的周期不同。
2.如權(quán)利要求1所述的一種陣列式微諧振腔可調(diào)集成光學(xué)濾波器，其特征在于襯底為透明介質(zhì)襯底或半導(dǎo)體襯底。
3.如權(quán)利要求2所述的一種陣列式微諧振腔可調(diào)集成光學(xué)濾波器，其特征在于半導(dǎo)體襯底為已經(jīng)制作了光電子器件的半導(dǎo)體芯片。
4.如權(quán)利要求1所述的一種陣列式微諧振腔可調(diào)集成光學(xué)濾波器，其特征在于下層金屬薄膜、金屬光柵和上層金屬薄膜的金屬材料為良導(dǎo)體，良導(dǎo)體選自金、銀、銅或鋁。
5.如權(quán)利要求1所述的一種陣列式微諧振腔可調(diào)集成光學(xué)濾波器，其特征在于上層金屬薄膜和下層金屬薄膜的厚度為5～100nm。
6.如權(quán)利要求1或5所述的一種陣列式微諧振腔可調(diào)集成光學(xué)濾波器，其特征在于上層金屬薄膜和下層金屬薄膜之間的間距為20～1000nm。
7.如權(quán)利要求1所述的一種陣列式微諧振腔可調(diào)集成光學(xué)濾波器，其特征在于金屬光柵層的厚度為5～1000nm。
8.如權(quán)利要求1或7所述的一種陣列式微諧振腔可調(diào)集成光學(xué)濾波器，其特征在于金屬光柵層的金屬光柵的周期為10～10000nm，金屬光柵內(nèi)開口部分的寬度為5～10000nm。
9.如權(quán)利要求1所述的一種陣列式微諧振腔可調(diào)集成光學(xué)濾波器，其特征在于介質(zhì)層為二氧化硅介質(zhì)層、氮化硅介質(zhì)層或氧化鋁介質(zhì)層；介質(zhì)層的厚度為20～1000nm。
10.如權(quán)利要求1或7所述的一種陣列式微諧振腔可調(diào)集成光學(xué)濾波器，其特征在于金屬光柵層中的金屬光柵為一維金屬光柵或二維金屬光柵。
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