[發明專利]以聚吡咯為藥物載體的磺化鋁酞菁藥物芯片的制備方法

無效

• 申請號: 200810070841.4
• 申請日: 2008-03-28
• 公開（公告）號: CN101249064A
• 公開（公告）日: 2008-08-27
• 發明（設計）人: 葛東濤;田向東;石巍;張其清
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: A61K9/00
• 分類號: A61K9/00;A61K47/00;A61K47/34;A61M31/00
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所
• 代理人: 陳永秀;馬應森

1.?以聚吡咯為藥物載體的磺化鋁酞菁藥物芯片的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1)以單晶硅片為基底，通過微機電技術在硅片的表面構建由30～10000個金微電極組成的微電極陣列，微電極陣列中每個金微電極的通、斷電狀態為單獨控制；

2)將構建后的微電極陣列浸入由吡咯單體和磺化鋁酞菁組成的電解質溶液中，然后采用恒電位法或循環伏安法在每個金微電極上生長摻雜磺化鋁酞菁的聚吡咯膜，得到以聚吡咯為藥物載體的磺化鋁酞菁藥物芯片。

2.?如權利要求1所述的以聚吡咯為藥物載體的磺化鋁酞菁藥物芯片的制備方法，其特征在于所述以聚吡咯為藥物載體的磺化鋁酞菁藥物芯片的面積為0.1～3cm²。

3.?如權利要求1所述的以聚吡咯為藥物載體的磺化鋁酞菁藥物芯片的制備方法，其特征在于所述微電極陣列中每個金微電極的面積為400～25000μm²，所述微電極陣列中每個金微電極的厚度為0.1～0.3μm。

4.?如權利要求1所述的以聚吡咯為藥物載體的磺化鋁酞菁藥物芯片的制備方法，其特征在于所述電解質溶液是吡咯單體和磺化鋁酞菁水溶液，吡咯單體的濃度為0.05～1mol/L，磺化鋁酞菁的濃度為0.01～0.5mol/L。

5.?如權利要求1或4所述的以聚吡咯為藥物載體的磺化鋁酞菁藥物芯片的制備方法，其特征在于所述磺化鋁酞菁選自二磺化鋁酞菁、三磺化鋁酞菁或四磺化鋁酞菁。

6.?如權利要求1所述的以聚吡咯為藥物載體的磺化鋁酞菁藥物芯片的制備方法，其特征在于當采用恒電位法制備聚吡咯膜時，電位施加范圍為0.65～1.2V，施加時間為10～1000s。

7.?如權利要求1所述的以聚吡咯為藥物載體的磺化鋁酞菁藥物芯片的制備方法，其特征在于當采用循環伏安法制備聚吡咯膜時，電位掃描范圍為0～1.2V，掃描速率為5～200mV/s，掃描周數為1～20周。