[發明專利]非線性光學晶體硼鈹酸鈉及其生長方法和用途有效
| 申請號: | 200810070806.2 | 申請日: | 2008-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN101545138A | 公開(公告)日: | 2009-09-30 |
| 發明(設計)人: | 葉寧;王時超;李煒 | 申請(專利權)人: | 中國科學院福建物質結構研究所 |
| 主分類號: | C30B29/22 | 分類號: | C30B29/22;C30B9/12;H01S3/16 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 非線性 光學 晶體 硼鈹酸鈉 及其 生長 方法 用途 | ||
技術領域
本發明涉及一種新型光電子功能材料及生長方法和用途,特別是涉及一種 非線性光學晶體材料及其制備方法和用途,即硼鈹酸鈉,其化學式為NaBeB3O6, 簡稱NBB。
技術背景
晶體的非線性光學效應是指這樣一種效應:當一束具有某種偏振方向的激 光按一定入射方向通過一塊非線性光學晶體(如NBB)時,該光束的頻率將發生 變化。
具有非線型光學效應的晶體稱為非線性光學晶體。利用非線性光學晶體進 行激光頻率轉換,拓寬激光波長的范圍,使激光的應用更加廣泛。尤其是硼酸 鹽類非線性光學晶體如BBO、LBO、KBBF、SBBO、TBO、KABO、BABO等晶體以其 優異的光學性質而倍受關注。在光學照相、光刻蝕、精密儀器加工等領域的發 展越來越需要紫外和深紫外激光相干光源,即需要性能優異的紫外和深紫外非 線性光學晶體。
BBO晶體的基本結構基元是(B3O6)3-平面基團,這種基團具有大的共軛π鍵, 使得BBO的紫外吸收邊在189nm左右,限制了晶體在紫外區的應用;且大的共 軛π鍵也會導致較大的雙折射率(Δn=0.12),從而限制了它的諧波轉換效率 及諧波光的質量。
KBBF的基本結構基元是(BO3)3-平面基團,此晶體的紫外吸收邊在155nm左右, 具有適中的雙折射率(Δn=0.07),可以實現很寬的相位匹配范圍,是目前為 止最優秀的深紫外非線性光學晶體。但由于KBBF是一種層狀結構的晶體,層與 層之間是靠靜電吸引而不是通過價鍵相連接的,層狀習性嚴重,在z方向生長 速度很慢,生長出的單晶體分層現象明顯,晶體不易生長。
SBBO的基本結構基元也是(BO3)3-平面基團,但它用氧取代氟離子,使得層 與層之間通過氧橋相互連接,以便改進KBBF的層狀習性,而每一層的結構則保 持基本不變。SBBO不僅具有較大的宏觀倍頻系數,低的紫外吸收邊(165nm), 適中的雙折射率(Δn=0.06),而且徹底克服了晶體的層狀習性,解決了晶體 生長的問題。在此基礎上,保持(BO3)3-基團的結構條件基本不變,替換陽離子 Sr2+和Be原子,相繼研制了TBO、KABO、BABO等一系列非線性光學晶體,它們 統稱為SBBO族晶體。它們克服了KBBF單晶生長的層狀習性,但這些晶體到目 前為止還不能取代KBBF單晶,因為SBBO和TBO晶體的結構完整性不好,其宏 觀性能顯示的光學均勻性非常差,目前還無法在實際器件中得到應用;KABO和 BABO晶體的結構完整性很好,具有較好的光學均勻性,但由于Al取代了Be, 它們的吸收邊紅移到180nm左右,很難用于深紫外的諧波輸出。
LBO的基本結構基元是將(B3O6)3-基團中的一個B原子由三配位變成四配位從 而形成(B3O7)5-基團。它具有較大的倍頻系數,紫外吸收邊在160nm左右,但是 由于在實際晶體內的(B3O7)5-基團互相連接,在空間中形成與z軸成45°的螺旋 鏈而無法在晶格中平行排列,使晶體的雙折射率降得過低(Δn=0.04~0.05), 從而使得它在紫外區的相位匹配范圍受到嚴重限制,使帶隙寬的優勢未能充分 發揮。
由于Be與B的離子半徑和配位數相似,我們認為可用若干Be原子代替上 述幾種硼氧基團中的B原子從而形成全新的鈹硼氧復合基團,然后以堿金屬和 堿土金屬離子作為陽離子,從而得到新的化合物,開拓深紫外非線性光學晶體 的應用。經過固相合成,晶體生長,單晶結構測定,證實了這種設想是可能的。
發明內容
本發明的目的在于提供一種硼鈹酸鈉化合物,其化學式為NaBeB3O6。
本發明的另一目的在于提供一種硼鈹酸鈉化合物制備方法。
本發明的另一目的在于提供一種硼鈹酸鈉非線性光學晶體,其化學式為 NaBeB3O6。
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