[發明專利]一種氮化鎵基外延膜的制備方法無效
| 申請號: | 200810070780.1 | 申請日: | 2008-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN101246820A | 公開(公告)日: | 2008-08-20 |
| 發明(設計)人: | 劉寶林;黃瑾;鄭清洪 | 申請(專利權)人: | 廈門大學 |
| 主分類號: | H01L21/20 | 分類號: | H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84;H01L33/00;H01L31/18;H01S5/00 |
| 代理公司: | 廈門南強之路專利事務所 | 代理人: | 馬應森 |
| 地址: | 361005福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氮化 外延 制備 方法 | ||
1.一種氮化鎵基外延膜的制備方法,其特征在于包括以下步驟:
1)采用金屬有機物氣相外延法、分子束外延法或氫化物外延法在藍寶石襯底上生長氮化鎵基外延膜;
2)將藍寶石襯底上生長氮化鎵基外延膜的P面用環氧樹脂粘在襯底支撐材料上,或用金屬鍵合在襯底支撐材料上,所述襯底支撐材料為硅片或其他導熱導電襯底;
3)根據所要求的激光光斑大小和激光器脈沖頻率設定電動平臺的行進的速度;
4)將藍寶石襯底上生長氮化鎵基外延膜固定在載物玻璃上,再連同電動平臺一起放入真空室中抽真空;
5)調節激光器的輸出能量密度,調整激光束經過光學系統后的聚焦光斑大小,激光束進入真空室的石英透鏡窗口,照射到藍寶石襯底上生長氮化鎵外延膜的背面上,電動平臺沿二維平動或螺旋線移動,激光光斑掃描整個藍寶石襯底上生長氮化鎵外延膜,使藍寶石和氮化鎵界面的氮化鎵發生分解,氮化鎵基外延膜與藍寶石襯底分離;
6)激光掃描藍寶石襯底上生長氮化鎵基外延膜結束后,先關閉閥門,再關閉真空泵;
7)將藍寶石襯底上生長氮化鎵基外延膜浸入鹽酸中,去除氮化鎵和藍寶石表面的鎵,使藍寶石襯底脫落,即得轉移到硅片或其他導熱導電襯底上的氮化鎵基外延膜。
2.如權利要求1所述的一種氮化鎵基外延膜的制備方法,其特征在于所述其他導熱導電襯底為銅片。
3.如權利要求1所述的一種氮化鎵基外延膜的制備方法,其特征在于所述抽真空的真空度為10~10-5Pa。
4.如權利要求1所述的一種氮化鎵基外延膜的制備方法,其特征在于所述鹽酸的濃度為50%。
5.如權利要求1所述的一種氮化鎵基外延膜的制備方法,其特征在于所述再連同電動平臺一起放入真空室中抽真空之前,利用加熱裝置對藍寶石襯底上生長氮化鎵外延膜進行加熱。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廈門大學,未經廈門大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810070780.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:對圖像加水印
- 下一篇:水體中懸浮泥沙含量的測量方法及測量裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





