[發明專利]一種半導體泵浦的腔內倍頻微片激光器

無效

• 申請號: 200810070471.4
• 申請日: 2008-01-17
• 公開（公告）號: CN101237120A
• 公開（公告）日: 2008-08-06
• 發明（設計）人: 吳礪;凌吉武;盧秀愛;楊建陽;郭磊;陳衛民
• 申請（專利權）人: 福州高意通訊有限公司
• 主分類號: H01S3/0941
• 分類號: H01S3/0941;H01S3/16
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、一種半導體泵浦的腔內倍頻微片激光器，包括半導體激光器、光學耦合元件和微片式倍頻激光器，微片式倍頻激光器包括激光增益介質、倍頻晶體和光學元件，其特征在于：半導體激光器泵浦波長為880nm±20nm波長光作為泵浦光(⁴I_9/2→⁴F_3/2)，激光增益介質為采用摻入Nd³⁺的激光增益介質。

2、根據權利要求1所述的一種半導體泵浦的腔內倍頻微片激光器，其特征在于：其摻入Nd³⁺的激光增益介質如Nd:YVO₄、Nd:GdVO₄或Nd:LuVO₄中，Nd³⁺的濃度為3at.％以上，如6at.％、8at.％、10at.％，或者更高濃度。

3、根據權利要求1或2所述的一種半導體泵浦的腔內倍頻微片激光器，其特征在于：其摻入Nd³⁺的激光增益介質是Nd:YVO₄、Nd:GdVO₄、Nd:KGW、Nd:YLF或Nd:YAG一系列高摻雜Nd³⁺的激光器增益介質。