[發明專利]一種大口徑磷酸二氫鉀單晶體快速成錐方法無效
| 申請號： | 200810070405.7 | 申請日： | 2008-01-03 |
| 公開（公告）號： | CN101476154A | 公開（公告）日： | 2009-07-08 |
| 發明（設計）人： | 李國輝;葉李旺;曾愛華;林秀欽;賀友平 | 申請（專利權）人： | 中國科學院福建物質結構研究所 |
| 主分類號： | C30B29/14 | 分類號： | C30B29/14;C30B7/08 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 350002福*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 口徑 磷酸 二氫鉀 單晶體 速成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種大口徑磷酸二氫鉀單晶體快速成錐方法，其特征在于：該單晶體的 生長分為三個成錐時期：
(1)在籽晶成錐初期，板狀籽晶的四個角出現生長薄片“角蓬”，其中兩個“角 蓬”生長特別迅速，但還沒有形成成錐的錐尖，這時控制降溫速率從0.5℃/天， 以0.1℃/天的速率遞減的降溫程序，并保持籽晶靜止生長；
(2)在籽晶成錐中期，當形成成錐的錐尖，“角蓬”開始倒勾向上生長，停止 降溫，并以60～70轉/分的轉速，按照“正轉-停轉-反轉”順序，時間間隔為“60 秒-15秒-60秒”的模式轉動籽晶；
(3)在成錐后期，空錐已完全封閉，成錐完成晶體進入穩定的透明層生長， 這時應控制降溫速率為0.05～0.1℃/天，并繼續成錐中期的轉動方式旋轉晶體生 長。
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