[發明專利]培美曲塞二酸的新晶型及其制備方法有效
| 申請號: | 200810070345.9 | 申請日: | 2008-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN101684121A | 公開(公告)日: | 2010-03-31 |
| 發明(設計)人: | 羅杰;林蒙;朱正勇;羅君來;葉文潤;秦詠梅;鄧杰 | 申請(專利權)人: | 重慶醫藥工業研究院有限責任公司 |
| 主分類號: | C07D487/04 | 分類號: | C07D487/04;A61K31/519;A61P35/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 400061*** | 國省代碼: | 重慶;85 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 培美曲塞二酸 新晶型 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及有機化學領域和藥學領域,具體涉及葉酸拮抗劑N-[4-[2-(2-氨基-4,7-二氫-4- 氧代-1H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-5-基)乙基]苯甲酰基]-L-谷氨酸(式I化合物,即Pemetrexed?diacid, 培美曲塞二酸)的新晶型及其制備方法。
背景技術
培美曲塞二酸及其衍生物作為多靶點葉酸拮抗劑,能強有力地抑制多種葉酸依賴酶,包 括胸苷酸合成酶(TS)、二氫葉酸還原酶(DHFR)和甘氨酰胺核糖核苷酸甲酰基轉移酶(GARFT) 等,具有優良的抗腫瘤活性。目前,其二鈉鹽即培美曲塞二鈉(Pemetrexed?disodium)已在 美國、歐盟、加拿大、中國、日本等國上市,用于一線治療惡性胸膜間皮瘤和一線、二線治 療非小細胞肺癌。在惡性胸膜間皮瘤的治療中,培美曲塞二鈉是目前唯一上市的化療藥物; 在非小細胞肺癌二線治療中,培美曲塞二鈉與此前的標準藥物多西紫杉醇相比,療效相當, 但副作用更小,因此將成為非小細胞肺癌二線治療的新標準。此外,培美曲塞二鈉治療乳腺 癌、腸癌、胰腺癌、頭頸部癌、胃癌、膀胱癌等的臨床研究也正在進行中,結果令人期待。
培美曲塞二酸是制備培美曲塞二鈉的重要前體,其質量對所制備的培美曲塞二鈉有著關 鍵的影響,因此,近年來人們對其物理化學性質進行了更為詳盡的研究,其中培美曲塞二酸 的多晶現象也引起了人們的重視,如專利US20080045711中公開了培美曲塞二酸的7種晶型, 其中包括兩種水合物晶型(晶型A、晶型B),一種二甲亞砜溶劑合物晶型(晶型C),兩種N,N- 二甲基甲酰胺溶劑合物晶型(晶型D、晶型E),兩種無水物晶型(晶型F、晶型G)。在這些晶 型中,溶劑合物晶型C、晶型D、晶型E中結合的溶劑沸點較高(二甲亞砜沸點為189℃,N,N- 二甲基甲酰胺沸點為156℃),在用于進一步制備培美曲塞二鈉時,這些高沸點溶劑可能引入 終產品,增加了終產品有機殘留的控制負擔;無水物晶型F和晶型G是經較高溫度(160~200℃) 干燥而得,在這樣的溫度下,培美曲塞二酸會發生一定的降解,不利于產品純度的保持;水 合物晶型A和B雖然克服了前面晶型的不足,但晶型A的制備收率低(約40%),實用價值不 高;晶型B制備時間較長,僅析晶就需耗時約18小時,不利于生產效率的提高。因此,為 了克服培美曲塞二酸現有晶型技術的不足,我們對培美曲塞二酸多晶現象進行了進一步的研 究,在此過程中我們驚喜的發現了幾種培美曲塞二酸新晶型,這些新晶型不含不易除去的溶 劑,制備方法簡便,實用性強,有利于進一步制備培美曲塞二鈉。
發明內容
本發明的目的在于提供制備工藝簡便、實用性強的培美曲塞二酸新晶型,以及制備這些 新晶形的方法。
為了實現該目的,本發明提供了的三種具有一定X-射線粉末衍射圖譜特征的N-[4-[2-(2- 氨基-4,7-二氫-4-氧代-1H-吡咯并[2,3-d]嘧啶-5-基)乙基]苯甲酰基]-L-谷氨酸(培美曲塞二酸)新 晶型(分別定義為H晶型、I晶型和J晶型)。
本發明提供的培美曲塞二酸H晶型的X-射線粉末衍射圖譜的特征為:在2θ值約為 9.9°、12.2°、16.1°、18.9°、19.8°、22.6°、25.1°的位置對應有衍射峰,另外2θ值約為6.4°、 10.6°、17.1°、18.1°、21.1°、27.8°、25.8°、30.1°等的位置也對應有衍射峰,培美曲塞二酸H 晶型具有如圖1所示的X-射線粉末衍射圖譜所代表的特征。
本發明提供的培美曲塞二酸H晶型是培美曲塞二酸的一種水合物晶型,其水含量范圍為 5~80%。
本發明提供的培美曲塞二酸H晶型的晶型含量(質量含量)一般大于80%,優選大于90%。
本發明提供的培美曲塞二酸I晶型具有如圖2所示的X-射線粉末衍射圖譜所代表的特征。
本發明提供的培美曲塞二酸I晶型是培美曲塞二酸的一種水合物晶型,其水含量范圍為 5~80%。
本發明提供的培美曲塞二酸I晶型的晶型含量(質量含量)一般大于80%,優選大于90%。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于重慶醫藥工業研究院有限責任公司,未經重慶醫藥工業研究院有限責任公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810070345.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:用于光存儲介質的包裝
- 下一篇:一種真空電鍍用脫脂劑





