[發明專利]一種超純冶金硅的制備方法

無效

• 申請號: 200810068852.9
• 申請日: 2008-08-08
• 公開（公告）號: CN101353167A
• 公開（公告）日: 2009-01-28
• 發明（設計）人: 吳展平
• 申請（專利權）人: 貴陽高新陽光科技有限公司
• 主分類號: C01B33/037
• 分類號: C01B33/037
• 代理公司: 貴陽東圣專利商標事務有限公司
• 代理人: 徐逸心

1.一種超純冶金硅的制備方法，包括用于制造太陽能電池硅材料的初級提純方法，其特征在于該方法采用物理冶金技術，以不低于99.5％的工業硅粉作原料，經過酸化學預處理后，將硅粉和造渣劑混勻在熔煉爐里的石英坩堝內，在微真空或常壓下，向熔煉爐內吹入保護性氣體，加熱，使爐內溫度達1400～1700℃，將金屬硅熔煉成硅熔體；進行造渣除雜；最后進行定向凝固得雜質總量低于100ppma的超純冶金硅。

2.根據權利要求1所述的一種超純冶金硅的制備方法，其特征是硅粉粒度80～300目，優選范圍為100～200目。

3.根據權利要求1或2所述的一種超純冶金硅的制備方法，其特征是加熱熔硅操作所用的電爐是感應熔煉爐，用電磁感應加熱，優選加熱溫度范圍從1400～1500℃，最佳溫度1450℃。

4.根據權利要求1或2所述的一種超純冶金硅的制備方法，其特征是向熔硅中吹入的氣體是氬氣或氮氣。

5.根據權利要求3所述的一種超純冶金硅的制備方法，其特征是向熔硅中吹入的氣體是氬氣或氮氣。

6.根據權利要求1或2所述的一種超純冶金硅的制備方法，其特征是加入的造渣劑為Na₂O-CaO-SiO₂或BaO-CaO-SiO₂，加入量為硅質量的5％-15％，造渣劑的摩爾比為：1∶1∶1。

7.根據權利要求5所述的一種超純冶金硅的制備方法，其特征是加入的造渣劑為Na₂O-CaO-siO₂或BaO-CaO-SaO₂，加入量5％～15％，造渣劑的摩爾配比為：1∶1∶1。

8.根據權利要求1或2所述的一種超純冶金硅的制備方法，其特征是煉好的熔硅進行定向凝固時，熔硅的冷卻速度是30～35℃/hr。

9.根據權利要求7所述的一種超純冶金硅的制備方法，其特征在于煉好的熔硅進行定向凝固時，熔硅的冷卻速度是30～35℃/hr。

10.根據權利要求9所述的一種超純冶金硅的制備方法，其特征是爐內微真空度為4000pa～10000pa。