[發明專利]真空鍍膜方法、真空鍍膜設備以及鍍膜元件和外殼

無效

• 申請號: 200810068554.X
• 申請日: 2008-07-18
• 公開（公告）號: CN101629277A
• 公開（公告）日: 2010-01-20
• 發明（設計）人: 張凱;方焱
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/35;C23C14/14;G02B1/10
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所
• 代理人: 張全文

技術領域

本發明關于物理氣相沉積形成鍍膜的技術，尤其涉及一種真空鍍膜方法及其使用的真空鍍膜設備，以及由該方法制得的鍍膜元件和外殼。

背景技術

物理氣相沉積(Physical?vapour?deposition，以下簡稱為PVD)工藝是在真空環境中將欲鍍材料，例如金屬元素，采用濺射或蒸發等方式轉移到工件表面，以在工件表面形成厚度均一的膜層，從而實現使工件表面具有特殊的效果，例如金屬光澤、光學效果等。

以獲得光學效果為例，通常利用PVD工藝在工件表面形成光學鍍膜，如半透膜。采用傳統的PVD工藝進行光學鍍膜時，往往追求工件表面鍍膜膜厚的均一，這就使很多具有半透效果的產品在各個位置的透光率都是相同不變，只能實現單一的效果。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種使工件具有漸變鍍膜厚度的真空鍍膜方法及其使用的真空鍍膜設備。

以及提供一種采用該真空鍍膜方法獲得的、具有漸變鍍膜層的鍍膜元件。

一種真空鍍膜方法，其包括以下步驟：

將待鍍膜工件置于真空鍍膜室內的支架上；

在待鍍膜工件與鍍膜源之間設置遮擋片；

在工件表面真空鍍膜，并在工件表面被遮擋片所遮擋的區域形成漸變鍍層。

一種真空鍍膜設備，其包括真空鍍膜室，所述真空鍍膜室內設有鍍膜源以及與所述鍍膜源相對的工件支架，所述工件支架與鍍膜源之間設有遮擋片。

一種由上述真空鍍膜方法形成的鍍膜元件，其包括鍍膜元件本體以及形成于所述本體上的鍍膜，所述鍍膜包括第一鍍膜部分和第二鍍膜部分，所述第一鍍膜部分是均勻的鍍膜層，所述第二鍍膜部分是漸變鍍層。

以及，一種由上述真空鍍膜方法形成的外殼，其包括殼體以及形成于所述殼體上的鍍膜，所述鍍膜包括第一鍍膜部分和第二鍍膜部分，所述第一鍍膜部分是均勻的鍍膜層，所述第二鍍膜部分是漸變鍍層。

與現有技術相比，所述真空鍍膜方法及其鍍膜設備通過在鍍膜源和待鍍膜工件之間設置遮擋片，在鍍膜時，可以在工件的特定區域形成厚度漸變的鍍膜層，由此形成具有漸變鍍膜層的鍍膜元件或便攜式電子裝置的外殼。而且，具有鍍膜層的鍍膜元件或外殼表面在外觀上表現一致，在實際使用時可增加它們表面的多樣性效果，如產生特定的光澤效果和光學效果。

附圖說明

圖1是本發明第一實施例的真空鍍膜設備的結構示意圖；

圖2是本發明第一實施例的真空鍍膜方法流程圖；

圖3是采用圖1中的真空鍍膜設備進行真空鍍膜的結構示意圖；

圖4是沿圖3中的IV-IV截面的結構示意圖；

圖5是本發明第二實施例的真空鍍膜設備的局部結構示意圖；

圖6是圖5中的鍍膜設備形成的鍍膜分區示意圖。

具體實施方式

為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。

請參閱圖1，是本發明第一實施例提供的真空鍍膜設備10，該設備10包括真空鍍膜室12、設置于鍍膜室12內的鍍膜源14和工件支架16。鍍膜源14和工件支架16相對設置，在鍍膜源14和工件支架16之間設置有一個遮擋片18。工件支架16上放置有待鍍膜工件19，該工件19可以是后面形成的鍍膜元件的本體或者是手機等便攜式電子裝置外殼的殼體。

真空鍍膜室12可以是通常所用的鍍膜室12，本實施例的鍍膜室12為磁控濺射鍍膜室，并且是臥式連續鍍膜機的真空鍍膜室。鍍膜室12內的真空度一般為1-8×10^-2Pa，優選為3×10^-2Pa。鍍膜源14采用濺射靶材，如果采用蒸發鍍方式，則鍍膜源14為蒸發源。

鍍膜源14的材質是所需鍍膜的材質，如錫、鋁或不銹鋼等材質，具體可根據實際需要選擇，本實施例以錫靶為例。

工件19固定于支架16上，其欲鍍膜的表面面對鍍膜源14。工件19的基材選用聚碳酯(PC)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等透明素材。采用這種原料的塑膠基材可以通過各種方法制備得到，例如，可以通過將現有的各種塑膠基材裁切得到，也可以通過直接注塑成型得到。所述注塑成型的方法例如可以通過使用住友SE180DU注塑成型機進行注塑成型，獲得塑膠基材。