[發明專利]半導體存儲介質的壽命預警方法、系統及裝置

無效

• 申請號: 200810068480.X
• 申請日: 2008-07-10
• 公開（公告）號: CN101625901A
• 公開（公告）日: 2010-01-13
• 發明（設計）人: 盧賽文
• 申請（專利權）人: 深圳市朗科科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/00
• 分類號: G11C29/00;G06F12/00;G06F3/06
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 胡海國;王艷春

技術領域

本發明涉及電數字數據處理領域，尤其涉及一種半導體存儲介質的管理方法和使用該方法的系統及裝置。

背景技術

現在半導體存儲介質的使用非常廣泛，如常見的U盤閃存盤、閃存卡以及手機、數碼相機等產品上也都使用了半導體存儲介質，并且半導體存儲介質已經進入到電腦和服務器等領域，有接替硬盤的發展趨勢。隨著技術和工藝的不斷進步和成熟，半導體存儲介質的容量也變得越來越大，與此同時，半導體存儲介質的存儲密度也越來越大，它的使用壽命也變得越來越短。半導體存儲介質的壽命信息包括半導體存儲介質的最大壽命、半導體存儲介質的平均壽命、壽命閾值和/或所有物理塊的壽命。所有這些壽命值在擦寫過程中會不斷變化，它們可以存放在半導體存儲介質本身，也可以暫存在半導體存儲設備的內存，還可以存在別的存儲介質中。

以閃存介質為例，每個塊的可擦寫次數一般都只有幾千次，有的甚至只有幾百次、幾十次。所以用戶在使用時不知道半導體存儲介質壽命何時達到極限，這樣很可能導致一些重要數據的丟失。所以需要一種方法讓用戶知道半導體存儲介質的老化程度并在達到使用極限之前做出提示或警告。

發明內容

本發明的目的之一是提供一種半導體存儲介質壽命預警方法，在半導體存儲介質老化時進行預警。

本發明包括如下步驟：

獲取半導體存儲介質壽命信息；

根據獲取的半導體存儲介質壽命信息進行預警。

優選地，所述系統獲取半導體存儲介質壽命信息包括：獲取半導體存儲介質的最大壽命、半導體存儲介質的平均壽命、壽命閾值和/或所有物理塊的壽命。

優選地，所述根據獲取的半導體存儲介質壽命信息進行預警步驟包括：

設置預警值；

比較獲取的半導體存儲介質壽命信息和預警值；

獲取的半導體存儲介質壽命信息大于或等于預警值時進行預警。

優選地，所述的預警值包括預警壽命值或預警壽命比率值。

優選地，所述的預警壽命值或預警壽命比率值包括預警梯度值。

本發明還提供一種半導體存儲設備壽命預警系統，用于對老化半導體存儲設備進行預警，所述壽命預警系統包括主機系統和半導體存儲設備，半導體存儲設備包括半導體存儲主控、內存和半導體存儲介質，半導體存儲主控分別連接內存和半導體存儲介質，主機系統通過半導體存儲主控獲取半導體存儲設備壽命信息；主機系統根據獲取的半導體存儲設備壽命信息進行預警。

本發明還提供一種半導體存儲設備壽命預警裝置，用于對老化半導體存儲介質進行預警，所述壽命預警裝置包括預警模塊、主控芯片、內存和半導體存儲介質，主控芯片分別連接預警模塊、內存和半導體存儲介質，主控芯片獲取半導體存儲介質壽命信息；主控芯片根據獲取的半導體存儲介質壽命信息控制預警模塊進行預警。

本發明采用了預警的方式來實現半導體存儲介質的壽命的提示，使用戶知道半導體存儲介質的老化程度并在達到使用極限之前做出提示或警告、在使用時知道半導體存儲介質壽命何時這到極限，這樣可以在存儲設備老化前對重要數據及時進行備份，保護了數據的安全性，避免了數據的丟失。

附圖說明

圖1是本發明第一實施例的預警方法流程示意圖；

圖2是本發明第二實施例的獲取半導體存儲介質壽命信息流程示意圖；

圖3是本發明第二實施例的預警步驟流程示意圖；

圖4是本發明第二實施例加入顯示步驟后的預警方法流程示意圖；

圖5是本發明第三實施例的預警系統結構示意圖；

圖6是本發明第三實施例的預警系統中的主機系統內部結構示意圖；

圖7是本發明第四實施例的預警裝置結構示意圖；

圖8是本發明第四實施例的預警裝置中的主控芯片內部結構示意圖。

本發明目的、功能及優點將結合實施例，參照附圖做進一步說明。

具體實施方式

本發明通過獲取半導體存儲介質信息，根據獲取的半導體存儲介質信息的結果進行預警，實現了半導體存儲介質的壽命的提示。

如圖1所示，第一實施例的半導體存儲介質壽命預警方法包括步驟：

S210、獲取半導體存儲介質壽命信息；

S220、根據獲取的半導體存儲介質壽命信息進行預警。