[發明專利]半導體存儲介質的壽命顯示方法、系統及裝置

無效

• 申請號: 200810068479.7
• 申請日: 2008-07-10
• 公開（公告）號: CN101625900A
• 公開（公告）日: 2010-01-13
• 發明（設計）人: 盧賽文
• 申請（專利權）人: 深圳市朗科科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/00
• 分類號: G11C29/00;G06F12/00;G06F3/06
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 胡海國;王艷春

技術領域

本發明涉及電數字數據處理領域，尤其涉及一種半導體存儲介質的壽命顯示方法、系統及裝置。

背景技術

現在半導體存儲介質的使用非常廣泛，如常見的U盤閃存盤、閃存卡以及手機、數碼相機等產品上也都使用了半導體存儲介質，并且半導體存儲介質已經進入到電腦和服務器等領域，有接替硬盤的發展趨勢。隨著技術和工藝的不斷進步和成熟，半導體存儲介質的容量也變得越來越大，與此同時，半導體存儲介質的存儲密度也越來越大，它的使用壽命也變得越來越短。半導體存儲介質的壽命信息包括半導體存儲介質的最大壽命、半導體存儲介質的平均壽命、壽命閾值和/或所有物理塊的壽命。所有這些壽命值在擦寫過程中會不斷變化，它們可以存放在半導體存儲介質本身，也可以暫存在半導體存儲設備的內存，還可以存在別的存儲介質中。

以閃存介質為例，每個塊的可擦寫次數一般都只有幾千次，有的甚至只有幾百次、幾十次。所以用戶在使用時不知道半導體存儲介質壽命何時達到極限，這樣很可能導致一些重要數據的丟失。所以需要一種方法讓用戶知道半導體存儲介質的老化程度并在達到使用極限之前做出提示或警告。

發明內容

本發明的目的之一是提供一種半導體存儲介質的壽命顯示方法、系統及裝置，顯示用戶半導體存儲介質的壽命。

本發明的壽命顯示方法采用如下技術方案，包括步驟：

獲取半導體存儲介質壽命信息；

顯示半導體存儲介質壽命信息。

本發明還提供一種半導體存儲設備壽命顯示系統，所述壽命顯示系統包括主機系統和半導體存儲設備，半導體存儲設備包括主控、內存和半導體存儲介質，主控分別連接內存和半導體存儲介質，主機系統通過主控獲取半導體存儲設備壽命信息；主機系統顯示獲取的半導體存儲設備壽命信息。

本發明還提供一種半導體存儲設備壽命顯示裝置，用于顯示半導體存儲介質的壽命信息，所述壽命顯示裝置包括顯示模塊、主控芯片、內存和半導體存儲介質，主控芯片分別連接顯示模塊、內存和半導體存儲介質，主控芯片獲取半導體存儲介質壽命信息；主控芯片根據獲取的半導體存儲介質壽命信息控制顯示模塊進行顯示。

本發明采用了顯示半導體存儲介質壽命的方式來實現半導體存儲介質的壽命的提示，使用戶知道半導體存儲介質的老化程度并在達到使用極限之前做出提示，在使用時知道半導體存儲介質壽命何時達到極限，這樣可以在存儲設備老化前對重要數據及時進行備份，保護了數據的安全性，避免了數據的丟失。

附圖說明

圖1是本發明第一實施例的顯示方法流程圖；

圖2是本發明第二實施例的獲取的半導體存儲介質壽命信息流程圖；

圖3是本發明第二實施例的顯示的半導體存儲介質壽命信息流程圖；

圖4是本發明第三實施例的顯示的半導體存儲介質壽命信息流程圖；

圖5是本發明第三實施例加入預警步驟后的流程圖；

圖6是本發明第四實施例的顯示系統結構圖；

圖7是本發明第五實施例的顯示裝置結構示意圖。

本發明目的、功能及優點將結合實施例，參照附圖做進一步說明。

具體實施方式

本發明通過獲取半導體存儲介質信息，根據獲取的半導體存儲介質信息的結果進行顯示，實現了半導體存儲介質的壽命的提示。

如圖2所示，本實施例的半導體存儲介質的壽命顯示方法包括步驟：

S110、獲取半導體存儲介質壽命信息；

S120、顯示半導體存儲介質壽命信息。

本實施例獲取現有的半導體存儲介質中為了實現平衡算法而記錄的半導體存儲介質的壽命信息，然后將所獲取的半導體存儲介質壽命信息直接或轉換后進行顯示，達到用戶可以識別半導體存儲介質的壽命信息的目的，使用戶能夠掌握半導體存儲介質的老化情況。

基于第一實施例，本發明提出第二實施例。

圖3和圖4示出了本發明的第二實施例，如圖3所示，所述步驟S110獲取半導體存儲介質壽命信息包括步驟：

S111、發出壽命信息讀取命令；

S112、讀取半導體存儲介質中的壽命信息；

S113、返回讀取的壽命信息。

如圖4所示，所述顯示半導體存儲介質壽命信息包括步驟：

S121、顯示讀取的壽命信息。