[發明專利]發光二極管

無效

• 申請號: 200810068073.9
• 申請日: 2008-06-27
• 公開（公告）號: CN101614327A
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發明（設計）人: 張家壽
• 申請（專利權）人: 富準精密工業（深圳）有限公司;鴻準精密工業股份有限公司
• 主分類號: F21S2/00
• 分類號: F21S2/00;F21V5/00;H01L23/29;H01L33/00;F21Y101/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種發光元件，特別涉及一種發光二極管的封裝體的改良結構。

背景技術

發光二極管是利用半導體材料中的電子與空穴結合時能量帶位階的改變，以發光的形式釋放出能量。發光二極管具有體積小、壽命長、驅動電壓低、反映速度快、耐震性佳等優點，是未來理想的照明元件。該發光二極管包括一芯片及封裝體，芯片發出的光線通過封裝體的聚光面照射出來，由于封裝體的折射率比空氣大，光線在通過聚光面后會向四周散射。然而，在某些應用場合，比如使用發光二極管作為光源的激光指示筆，需要將發光二極管的光線匯聚起來集中射出。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種能夠產生聚集光線的發光二極管。

一種發光二極管，包括一發光芯片及一第一膠體，該第一膠體覆蓋在該發光芯片上方，該發光芯片包括一發光面，該第一膠體包括一出光面，該出光面與發光面相對，該第一膠體的出光面上分布有由第二膠體制成的若干膠體點，該膠體點的折射率比該第一膠體的折射率大。

在膠體點的作用下，所述發光二極管的大部分光線可被匯聚起來集中向上方照射，還可減少由于全反射造成的光損失，提高該發光芯片的光線利用率。

下面參照附圖，結合具體實施例對本發明作進一步的描述。

附圖說明

圖1為本發明一較佳實施例中的發光二極管的俯視圖。

圖2為圖1所示發光二極管的截面示意圖。

圖3為圖2所示發光二極管的工作示意圖。

具體實施方式

請參照圖1及圖2，所示為本發明一較佳實施例中的發光二極管20。該發光二極管20包括一發光芯片21、一第一膠體22及一基座24。該第一膠體22也可稱為封裝體。該基座24用于承載該發光芯片21，該第一膠體22覆蓋在該發光芯片21的上方，該發光芯片21發出的光線透過該第一膠體22射向該發光二極管20的上方。

所述發光芯片21可根據需要采用可發出不同光色的芯片，比如，藍光芯片、紅光芯片、黃光芯片或其它光色的芯片。該發光芯片21的頂部具有一平整的發光面210。

所述基座24為圓杯形，該基座24的中間設有一凹陷部242，該凹陷部242具有一內壁240，該凹陷部242的縱截面呈上寬下窄的梯形，該發光芯片21貼附在該凹陷部242的底部中央，并通過一金線212與該基座24成電性連接。

所述第一膠體22的材料為壓克力、環氧樹脂、硅樹脂等材料中的一種。該第一膠體22填充在該基座24的凹陷部242內，并貼附在該凹陷部242的內壁240上，并且，該第一膠體22覆蓋在該發光芯片21周圍。該第一膠體22包括一平整的出光面25，該出光面25位于該第一膠體22的頂部，該出光面25與所述發光芯片21的發光面210相對。

該第一膠體22的出光面25上開設有若干圓柱形凹槽26，這些凹槽26分布的位置由發光芯片21的光照角度決定，由于從發光面210出射的光線主要集中在該出光面25的中間區域，因此這些凹槽26密集設置在出光面25的中部。這些凹槽26相互間隔，每一凹槽26中填充有圓柱狀的由第二膠體制成的一膠體點28，該膠體點28的折射率比該第一膠體22大，該膠體點28可用第一膠體22的材料摻入氧化鋯(ZrO)及三氧化二鉍(Bi₂O₃)或納米級二氧化鈦(TiO₂)制成。該膠體點28具有一頂面280，該頂面280相對于該第一膠體22的出光面25向外凸出成圓弧狀。所述膠體點28成矩陣分布于該出光面25上。

制造時，首先將第一膠體22填充到該基座24的凹陷部242中；然后在該第一膠體22的出光面25上刻劃凹槽26；然后將膠體點28通過點膠的方式涂布在凹槽26中，完成封裝。在其它的實施例中，也可將膠體點28直接結合于該出光面25的表面，而無須在該出光面25上刻劃凹槽26。

請參照圖3，工作時，該發光芯片21從其發光面210發出光線，大部分光線通過該第一膠體22的內部，進而射向該第一膠體22的出光面25，因為膠體點28的折射率比第一膠體22大，所以照射到凹槽26的光線經折射均會進入膠體點28，并朝該出光面25的中央匯聚。而且，由于該膠體點28的頂面280成凸狀圓弧，當膠體點28中的光線通過該頂面280時，光線會進一步朝該出光面25的中央匯聚，進而向該發光二極管20的上方照射。因此，在膠體點28的作用下，所述發光二極管20的大部分光線可被匯聚起來集中向上方照射，還可減少由于全反射造成的光損失，提高該發光芯片21的光線利用率。