[發(fā)明專利]發(fā)光二極管

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810067941.1
• 申請日: 2008-06-20
• 公開（公告）號: CN101609831A
• 公開（公告）日: 2009-12-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張家壽
• 申請（專利權(quán)）人: 富準精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻準精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L25/075
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發(fā)光二極管，包括殼體、發(fā)光芯片陣列以及第一透光體，所述第一透光體將所述發(fā)光芯片陣列封裝至所述殼體內(nèi)，其特征在于：所述第一透光體的上方設(shè)有一第二透光體，第二透光體具有一入光面，該入光面上設(shè)有與發(fā)光芯片陣列對應(yīng)的凹洞陣列。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述凹洞陣列的各凹洞與發(fā)光芯片陣列的各發(fā)光二極管芯片一一對應(yīng)。

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光芯片陣列的各發(fā)光二極管芯片位于凹洞陣列的各凹洞的正下方。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述凹洞陣列的各凹洞的軸截面為弧形。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述凹洞陣列的各凹洞的壁部為粗糙的表面。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二透光體具有一出光面，所述出光面的軸截面為凸弧狀。

7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二透光體的折射率小于第一透光體的折射率，且大于空氣的折射率。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二透光體的入光面位于第二透光體的底端，且與第一透光體的頂面相接觸。

9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二透光體的軟化溫度大于第一透光體的軟化溫度。

10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述殼體為倒圓錐臺狀，其具有一圓形的橫截面和倒梯形的軸截面。

11.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一透光體設(shè)在殼體的底部，所述第二透光體設(shè)在殼體的頂部。

12.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一透光體的軸截面為倒梯形，其頂面為一平面，所述第二透光體的入光面位于第二透光體的底端，該入光面為平面且與第一透光體的頂面結(jié)合，該第二透光體的頂端形成一出光面，該出光面的軸截面呈凸弧狀。