[發明專利]薄膜晶體管面板

有效

• 申請號: 200810067639.6
• 申請日: 2008-06-04
• 公開（公告）號: CN101599495A
• 公開（公告）日: 2009-12-09
• 發明（設計）人: 姜開利;李群慶;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L29/06;G02F1/1362
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種薄膜晶體管面板，包括：

一絕緣基板；

多個源極線，該多個源極線位于絕緣基板表面并按行相互平行設置；

多個柵極線，該多個柵極線位于絕緣基板表面并按列相互平行設置，該 多個柵極線與該多個源極線交叉并絕緣設置，從而將該絕緣基板表面劃分成 多個網格區域；

多個像素電極，每一像素電極設置于每一網格區域中；以及

多個薄膜晶體管，每一薄膜晶體管設置于每一網格區域中，該薄膜晶體 管包括一源極、一與該源極間隔設置的漏極、一半導體層、以及一柵極，該 源極與一源極線電連接，該漏極與一像素電極電連接，該半導體層與該源極 和漏極電連接，該柵極通過一絕緣層與該半導體層、源極及漏極絕緣設置并 與一柵極線電連接，

其特征在于，該薄膜晶體管中的半導體層為半導體性碳納米管層，該碳 納米管層由多個碳納米管組成，該多個碳納米管沿源極至漏極方向擇優取向 排列，所述半導體性碳納米管層包括一個碳納米管薄膜或重疊設置的多個碳 納米管薄膜，所述碳納米管薄膜中的碳納米管平行于碳納米管薄膜的表面。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述碳納米管薄膜中 的碳納米管為相互平行且并排設置。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述碳納米管薄膜包 括多個碳納米管束，每個碳納米管束具有大致相等的長度且每個碳納米管束 由多個相互平行的碳納米管構成，所述碳納米管束兩端通過范德華力首尾相 連。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述半導體性碳納米 管層包含半導體性的單壁或雙壁碳納米管，半導體性碳納米管的直徑小于10 納米。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述網格區域以矩陣 方式按行及按列排列，所述每行網格區域中的薄膜晶體管的源極均與其所在 行的源極線電連接，所述每列網格區域中的薄膜晶體管的柵極均與其所在列 的柵極線電連接。

6.如權利要1所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述像素電極的材料為 銦錫氧化物、銻錫氧化物、銦鋅氧化物或金屬性碳納米管。

7.如權利要1所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述像素電極的面積為 10平方微米～0.1平方毫米。

8.如權利要求1所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述薄膜晶體管中的 柵極、源極及漏極的材料為金屬、合金、銦錫氧化物、銻錫氧化物、導電銀 膠、導電聚合物或金屬性碳納米管，所述薄膜晶體管中的絕緣基板的材料為 玻璃、石英、陶瓷、硅片、金剛石、塑料或樹脂，所述薄膜晶體管中的絕緣 層的材料為氮化硅、氧化硅、苯并環丁烯、聚酯或丙烯酸樹脂。

9.如權利要求1所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述薄膜晶體管中的 半導體層設置于所述絕緣基板表面，所述源極及漏極間隔設置于所述半導體 層表面，所述絕緣層設置于所述半導體層表面，所述柵極設置于所述絕緣層 表面，并通過該絕緣層與該半導體層、源極和漏極絕緣設置。

10.如權利要求1所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述薄膜晶體管中的 柵極設置于所述絕緣基板表面，所述絕緣層設置于所述柵極表面，所述半導 體層設置于所述絕緣層表面，通過所述絕緣層與柵極絕緣設置，所述源極及 漏極間隔設置并與上述半導體層電接觸，該源極和漏極通過絕緣層與上述柵 極電絕緣。

11.如權利要求1所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，該薄膜晶體管面板每 一網格區域進一步包括一鈍化層，該鈍化層覆蓋所述薄膜晶體管并具有一暴 露所述漏極的通孔，所述像素電極覆蓋整個網格區域及網格區域內的薄膜晶 體管，并通過通孔與漏極電連接。

12.如權利要求1所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，該薄膜晶體管進一步 包括一溝道，該溝道為所述半導體層位于所述源極和漏極之間的區域，該溝 道及半導體層的長度為1微米～100微米，寬度為1微米～1毫米，厚度為0.5 納米～100微米。