[發(fā)明專利]發(fā)聲裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810067589.1 | 申請日: | 2008-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN101600140A | 公開(公告)日: | 2009-12-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 姜開利;肖林;陳卓;范守善 | 申請(專利權(quán))人: | 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | H04R23/00 | 分類號: | H04R23/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100084北京市海淀區(qū)清華園1*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)聲 裝置 | ||
1.一種發(fā)聲裝置,其包括:
一信號輸入裝置;以及
一發(fā)聲元件,該發(fā)聲元件與所述信號輸入裝置的兩端電連接;
其特征在于:所述發(fā)聲元件包括至少一層碳納米管薄膜,該碳納米管薄膜包 括多個相互平行的碳納米管,所述信號輸入裝置輸入電信號給該碳納米管薄 膜,該碳納米管薄膜將該電信號轉(zhuǎn)換成熱能并加熱周圍氣體介質(zhì)使周圍氣體 介質(zhì)膨脹和收縮,從而發(fā)出聲波。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置,其特征在于,至少部分碳納米管的兩端分別 與所述信號輸入裝置的兩端電連接。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置,其特征在于,所述碳納米管薄膜中的相鄰兩 個碳納米管之間的距離小于50微米。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置,其特征在于,所述碳納米管薄膜中相鄰兩個 碳納米管之間通過范德華力結(jié)合。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置,其特征在于,所述發(fā)聲元件包括至少兩層重 疊設(shè)置的碳納米管薄膜,相鄰兩層碳納米管薄膜之間通過范德華力緊密結(jié) 合,且相鄰兩層碳納米管薄膜中的碳納米管之間形成一夾角α,α大于等于 0度且小于等于90度。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)聲裝置,其特征在于,所述發(fā)聲元件為一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu), 該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)包括均勻分布的微孔,該微孔的孔徑小于50微米。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置,其特征在于,所述發(fā)聲元件的厚度為0.5納 米~1毫米。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置,其特征在于,所述碳納米管薄膜中的碳納米 管為單壁碳納米管、雙壁碳納米管及多壁碳納米管中的一種或多種,所述單 壁碳納米管的直徑為0.5納米~50納米,所述雙壁碳納米管的直徑為1.0納 米~50納米,所述多壁碳納米管的直徑為1.5納米~50納米。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置,其特征在于,所述發(fā)聲裝置進一步包括至少 兩電極,該至少兩電極間隔設(shè)置且與所述發(fā)聲元件中的部分碳納米管的兩端 電連接。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)聲裝置,其特征在于,所述至少兩電極進一步通過導(dǎo) 線與所述信號輸入裝置的兩端電連接。
11.如權(quán)利要求9所述的發(fā)聲裝置,其特征在于,所述至少兩電極為層狀、棒狀 或塊狀。
12.如權(quán)利要求9所述的發(fā)聲裝置,其特征在于,所述電極的材料為金屬、導(dǎo)電 膠、金屬性碳納米管或銦錫氧化物。
13.如權(quán)利要求9所述的發(fā)聲裝置,其特征在于,所述發(fā)聲裝置進一步包括一導(dǎo) 電粘結(jié)層設(shè)置在所述至少兩電極和發(fā)聲元件之間。
14.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置,其特征在于,所述發(fā)聲裝置包括多個電極, 該多個電極間隔設(shè)置且均與所述發(fā)聲元件電連接,且該多個電極中任意兩個 相鄰的電極分別與所述信號輸入裝置的兩端電連接。
15.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置,其特征在于,所述信號輸入裝置輸入的信號 包括交流電信號或音頻電信號。
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