[發明專利]薄膜晶體管基板、薄膜晶體管基板制造方法及顯示裝置有效
| 申請號: | 200810067523.2 | 申請日: | 2008-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN101593756A | 公開(公告)日: | 2009-12-02 |
| 發明(設計)人: | 李睿勻;顏碩廷;黃榮龍 | 申請(專利權)人: | 群康科技(深圳)有限公司;群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/84;H01L21/768;G02B26/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518109廣東省深圳市寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 制造 方法 顯示裝置 | ||
1.一種薄膜晶體管基板,其包括:
一顯示區;
至少一接觸區,其位于該顯示區至少一側,顯示區與接觸區之間設置有一間隔壁;
一框膠設置區,其包圍該顯示區和該接觸區,用于設置框膠,且該間隔壁的高度小于該框膠的高度;
多個像素電極,設置于該顯示區;和
至少一公共電極,其特征在于:該至少一公共電極設置于該至少一接觸區,且該薄膜晶體管基板裸露出該至少一公共電極的至少一部分。
2.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板,其特征在于:該薄膜晶體管基板進一步包括至少一電容電極線,該至少一電容電極線與該像素電極絕緣層疊,該至少一公共電極與該至少一電容電極線電連接。
3.如權利要求2所述的薄膜晶體管基板,其特征在于:該至少一電容電極線自該至少一接觸區延伸至該顯示區。
4.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板,其特征在于:該薄膜晶體管基板所包括的該至少一接觸區的數量為兩個,該薄膜晶體管基板所包括的該至少一公共電極的數量為兩個,該兩個接觸區分別設置于該顯示區相對兩側,每一該接觸區設置有一該公共電極。
5.如權利要求4所述的薄膜晶體管基板,其特征在于:該薄膜晶體管基板進一步包括至少一電容電極線,該至少一電容電極線與該像素電極絕緣層疊,該兩個公共電極與該至少一電容電極線電連接。
6.一種電濕潤式顯示裝置,其包括:
一對向基板;
一薄膜晶體管基板,其與該對向基板相對設置;
一框膠,其設置于該對向基板和該薄膜晶體管基板之間,并與該對向基板和該薄膜晶體管基板配合形成一收容空間;
一極性的第一液體,其設置于該收容空間內;和
一與該第一液體不相融的非極性的第二液體,其設置于該收容空間內;
其中,該薄膜晶體管基板包括:
至少一接觸區和一顯示區,該至少一接觸區和該顯示區位于該框膠在該薄膜晶體管基板界定的區域內,且該接觸區與顯示區之間設置有一高度小于框膠高度的間隔壁,并且該第二液體相對與薄膜晶體管基板的高度小于該間隔壁的高度;
多個像素電極,設置于該顯示區;
一親油性絕緣層圖案,設置于該像素電極,和
至少一公共電極,其特征在于:該至少一公共電極設置于該至少一接觸區,且該薄膜晶體管基板裸露出該至少一公共電極的至少一部分。
7.如權利要求6所述的電濕潤式顯示裝置,其特征在于:該至少一公共電極與該第一液體電接觸,該像素電極與該第一液體相絕緣。
8.一種薄膜晶體管基板,其包括:
一第一區域;
一位于該第一區域外圍的框膠設置區,該框膠設置區用于設置框膠;
設置于該第一區域內的多個像素電極;和
至少一設置于該第一區域內的公共電極,該至少一公共電極與該像素電極絕緣,且設置有公共電極的區域與設置有像素電極的區域之間設置有一高度小于框膠高度的間隔壁,其特征在于:該薄膜晶體管基板裸露出該至少一公共電極的至少一部分。
9.如權利要求8所述的薄膜晶體管基板,其特征在于:該薄膜晶體管基板進一步包括至少一電容電極線,該至少一電容電極線與該像素電極絕緣層疊,該至少一公共電極與該至少一電容電極線電連接。
10.如權利要求9所述的薄膜晶體管基板,其特征在于:該至少一公共電極的數量為兩個,該兩個公共電極分別設置于該像素電極相對兩側且均與該至少一電容電極線電連接。
11.如權利要求9所述的薄膜晶體管基板,其特征在于:該薄膜晶體管基板進一步包括一基底、多條相互平行間隔設置的掃描線,多條與該掃描線垂直且間隔設置的數據線、一第一絕緣層、一鈍化層和一親油性絕緣層圖案,該電容電極線和該掃描線設置于該基底,該第一絕緣層設置于該至少一電容電極線、掃描線和該基底,該數據線設置于該第一絕緣層,該鈍化層設置于該第一絕緣層和該數據線,該至少一公共電極和該像素電極間隔設置于該鈍化層,該親油性絕緣層圖案設置于該像素電極上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





