[發明專利]一種閃存芯片的物理操作方法

有效

• 申請號: 200810067437.1
• 申請日: 2008-05-21
• 公開（公告）號: CN101320594A
• 公開（公告）日: 2008-12-10
• 發明（設計）人: 李國強
• 申請（專利權）人: 深圳市硅格半導體有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/08;G06F12/02
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所
• 代理人: 王永文

1.一種閃存芯片的物理操作方法，其特征在于，所述閃存芯片具有若干個存儲塊，其中包括若干個好的存儲塊與若干個壞的存儲塊，所述物理操作方法為：

將每個好的存儲塊分成若干個小塊，對于每個存儲塊，以小塊為單位進行數據的寫操作或者讀操作；

將每個壞的存儲塊分成若干個小塊，對于每個存儲塊，以小塊為單位對其中無壞頁的小塊進行數據的寫操作或者讀操作；

所述存儲塊中的小塊的存儲容量為一個頁或者多個頁；

其中，所述閃存芯片進一步具有一控制層，所述控制層存儲每個存儲塊的塊物理地址及其狀態屬性、每個小塊的小塊物理地址及其狀態屬性，所述狀態屬性、存儲塊的塊物理地址以及小塊的小塊物理地址的對應關系或者集合記錄表均存于所述閃存芯片的控制層中。

2.如權利要求1所述的閃存芯片的物理操作方法，其特征在于，所述物理操作方法中，對于每一個存儲塊，以存儲塊為單位進行擦除操作。

3.如權利要求1所述的閃存芯片的物理操作方法，其特征在于，每個小塊具有一個小塊物理地址，按照所述小塊的物理地址尋址進行以小塊為單位的寫操作或者讀操作。

4.如權利要求1所述的閃存芯片的物理操作方法，其特征在于，每個小塊具有一個狀態屬性，所述狀態屬性為可利用或者不可利用，進行所述以小塊為單位的存儲塊寫操作時，如果其狀態屬性為可利用，則寫入，如果其狀態屬性為不可利用，則跳過；進行所述以小塊?為單位的存儲塊讀操作時，如果其狀態屬性為可利用，則讀出，如果其狀態屬性為不可利用，則跳過。

5.如權利要求1所述的閃存芯片的物理操作方法，其特征在于，所述存儲塊中的每一個小塊的存儲容量相等。

6.如權利要求1所述的閃存芯片的物理操作方法，其特征在于，每個壞塊存儲塊中的小塊存儲容量由其壞頁的數量或密度來決定。

7.如權利要求2所述的閃存芯片的物理操作方法，其特征在于，每個存儲塊對應一個塊物理地址，根據所述塊物理地址尋址進行所述以存儲塊為單位的擦除操作。

8.一種閃存芯片的物理操作方法，其特征在于，所述閃存芯片具有若干個壞塊存儲塊，所述物理操作方法包括：

A1、每個壞塊存儲塊分成若干小塊，有壞頁存在的小塊為不可利用，其余的小塊為可利用；

B1、由兩個或兩個以上壞塊中的部分或全部可利用小塊重新組成一個新的存儲塊；所述新的存儲塊的存儲容量與原來的存儲塊的存儲容量相等；所述新的存儲塊中，小塊的存儲容量為一個頁或者多個頁；

C1、以所述新的存儲塊為單位進行物理操作，所述物理操作為讀操作、擦除操作或者寫操作；

其中，所述閃存芯片進一步具有一控制層，所述控制層存儲每個存儲塊的塊物理地址及其狀態屬性、每個小塊的小塊物理地址及其狀態屬性，所述狀態屬性、存儲塊的塊物理地址以及小塊的小塊物理地址的對應關系或者集合記錄表均存于所述閃存芯片的控制層中。

9.如權利要求8所述的閃存芯片的物理操作方法，其特征在于，?所述新的存儲塊中，小塊的存儲容量為一個頁或者多個頁。

10.如權利要求8所述的閃存芯片的物理操作方法，其特征在于，所述存儲塊中小塊的存儲容量相等。

11.如權利要求8所述的閃存芯片的物理操作方法，其特征在于，所述新的存儲塊中每一個小塊的存儲容量由壞塊存儲塊中壞頁的數量或密度來決定。?