[發明專利]一種磁控濺射方法無效
| 申請號： | 200810066653.4 | 申請日： | 2008-04-16 |
| 公開（公告）號： | CN101514442A | 公開（公告）日： | 2009-08-26 |
| 發明（設計）人： | 鄒建和 | 申請（專利權）人： | 深圳深愛半導體有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/14 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 | 代理人： | 鄭小粵 |
| 地址： | 518029廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 磁控濺射 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種磁控濺射方法，其特征在于：該方法包括以下步驟，
步驟一、送片裝置將待濺射的晶片送入裝卸腔，由裝卸腔里設置的旋轉盤上的彈簧夾皮夾住所述晶片；
步驟二、所述旋轉盤將所述晶片旋轉到對應濺射腔里濺射；
步驟三、在濺射過程中，往所述濺射腔里通入冷卻氣體，冷卻所述晶片；
步驟四、旋轉盤將濺射完的晶片送出裝卸腔卸載。
2、根據權利要求1所述的磁控濺射方法，其特征在于：步驟四中，在所述旋轉盤將濺射完的晶片送出裝卸腔卸載之前，還包括步驟，將所述濺射完的晶片在所述濺射腔里保持10-15s。
3、根據權利要求2所述的磁控濺射方法，其特征在于：在將所述濺射完的晶片在所述濺射腔里保持10-15s的同時，通入冷卻氣體冷卻所述晶片。
4、根據權利要求1或2或3所述的磁控濺射方法，其特征在于：所述冷卻氣體是氮氣或氬氣。
5、根據權利要求1或2或3所述的磁控濺射方法，其特征在于：所述待濺射的晶片為硅片。
6、根據權利要求4所述的磁控濺射方法，其特征在于：所述待濺射的晶片為硅片。
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