[發明專利]硅化鐵納米線的制備方法有效
| 申請號： | 200810066399.8 | 申請日： | 2008-04-03 |
| 公開（公告）號： | CN101549869A | 公開（公告）日： | 2009-10-07 |
| 發明（設計）人： | 孫海林;姜開利;李群慶;范守善 | 申請（專利權）人： | 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/06 | 分類號： | C01B33/06;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀區清華園1*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅化鐵 納米 制備 方法 | ||
1.一種硅化鐵納米線的制備方法，其具體包括以下步驟：
提供一生長裝置，且該生長裝置包括一加熱爐以及一反應室；
提供一定量的鐵粉與一生長基底，并將該鐵粉與生長基底間隔置入反應室內；向反應室通入硅源氣體，并加熱至600～1200℃，在生長基底上生長得到硅化鐵納米線。
2.如權利要求1所述的硅化鐵納米線的制備方法，其特征在于，所述鐵粉在使用前先用稀釋的酸性溶液浸泡2～10分鐘。
3.如權利要求1所述的硅化鐵納米線的制備方法，其特征在于，所述生長基底為一硅片、石英片、藍寶石或玻璃。
4.如權利要求1所述的硅化鐵納米線的制備方法，其特征在于，所述反應室包括一入氣口與一出氣口，且該生長基底置于鐵粉正上方或置于鐵粉與出氣口之間。
5.如權利要求1所述的硅化鐵納米線的制備方法，其特征在于，向反應室通入硅源氣體前，先向反應室通入流量為20～1000毫升/分的氫氣。
6.如權利要求5所述的硅化鐵納米線的制備方法，其特征在于，向反應室通入氫氣前，先向反應室通入流量為200～2000毫升/分的保護氣體。
7.如權利要求1所述的硅化鐵納米線的制備方法，其特征在于，所述硅源氣體的流量為10～1000毫升/分。
8.如權利要求7所述的硅化鐵納米線的制備方法，其特征在于，所述硅源氣體為硅烷及其衍生物中的一種或多種。
9.如權利要求8所述的硅化鐵納米線的制備方法，其特征在于，所述硅源氣體為四氯化硅。
10.如權利要求1所述的硅化鐵納米線的制備方法，其特征在于，該方法制備的硅化鐵納米線的直徑為10～500納米，長度為100納米～100微米。
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