[發明專利]一種SMD高功率LED陶瓷封裝基座

無效

• 申請號: 200810066254.8
• 申請日: 2008-03-27
• 公開（公告）號: CN101252163A
• 公開（公告）日: 2008-08-27
• 發明（設計）人: 謝燦生
• 申請（專利權）人: 潮州三環（集團）股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.?一種SMD高功率LED陶瓷封裝基座，該基座由上陶瓷層(10)和下陶瓷層(20)構成，上陶瓷層(10)提供反射杯(5)，下陶瓷層(20)用于安裝芯片并實現與底層電極電導通，下陶瓷層(20)上側設有用于安裝芯片的貼片區(1)和通過焊接導線連接芯片電極的打線區(2)，下陶瓷層(20)下側設有通過基座金屬化布線實現與芯片兩個電極連接的底部焊盤(3)，基座還設有用于連接上下兩層金屬化布線以實現上下電導通的電導通孔(4)，該電導通孔(4)設在基座的內部或邊緣，上陶瓷層(10)中的反射杯(5)起到聚光及反射增加亮度的作用，本發明的特征在于：所述的上陶瓷層(10)和下陶瓷層(20)由高溫氧化鋁或氮化鋁陶瓷材料制成，氧化鋁陶瓷和氮化鋁陶瓷的熱導率分別為18～20W/mK和170～230W/mK。

2.?根據權利要求1所述的一種SMD高功率LED陶瓷封裝基座，其特征在于所述的上陶瓷層(10)和下陶瓷層(20)由高溫氧化鋁材料制成，該下陶瓷層設有相邊的散熱焊盤(7)和高導熱柱(6)，高導熱柱(6)設于下陶瓷層(20)內部，高導熱柱(6)的上側與貼片區(1)相連接，下側連接散熱焊盤(7)，高導熱柱(6)用于將芯片產生的熱導出，散熱焊盤(7)設于下陶瓷層(20)的下側，用于將高導熱柱(6)導出的熱散逸出來。

3.?根據權利要求1或2所述的一種SMD高功率LED陶瓷封裝基座，其特征在于所述上陶瓷層(10)的反射杯(5)角度可任意變化，控制光的發射角度，反射杯(5)的杯壁金屬化并電鍍有高反射材料，增強光的輸出。

4.?根據權利要求2所述的一種SMD高功率LED陶瓷封裝基座，其特征在于所述的高導熱柱(6)由鎢金屬填充而成，其熱導率約為200W/mK。