[發明專利]發光二極管裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 200810066037.9
• 申請日: 2008-02-01
• 公開（公告）號: CN101499508A
• 公開（公告）日: 2009-08-05
• 發明（設計）人: 許育儒
• 申請（專利權）人: 群康科技（深圳）有限公司;群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L25/16;H01L23/38;H01L21/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管裝置，其包括一發光二極管磊晶片和一致冷晶片，該發光二極管磊晶片包括一基板和一設置在該基板表面的半導體層，其特征在于：該致冷晶片直接形成在該基板的遠離該半導體層的表面。

2.如權利要求1所述的發光二極管裝置，其特征在于：該基板是絕緣基板，該致冷晶片包括多個第一電極、多個半導體晶粒和多個第二電極，該第一電極間隔設置在該基板的遠離該半導體層的表面，該半導體晶粒間隔設置在該第一電極遠離該半導體層的表面，該第二電極設置在該半導體晶粒遠離該半導體層的一端。

3.如權利要求1所述的發光二極管裝置，其特征在于：該基板是導電基板，該致冷晶片包括一絕緣層、多個第一電極、多個第二電極和多個半導體晶粒，該絕緣層設置在該基板遠離該半導體層的表面，該第一電極間隔設置在該絕緣層內表面，該半導體晶粒設置在該第一電極內表面，該第二電極間隔設置在該半導體晶粒遠離該半導體層的一端。

4.如權利要求2或3所述的發光二極管裝置，其特征在于：該多個半導體晶粒包括多個P型半導體晶粒和多個N型半導體晶粒，每一該P型半導體晶粒和N型半導體晶粒相互交替間隔設置，且夾在該第一電極和第二電極之間。

5.如權利要求1所述的發光二極管裝置，其特征在于：該基板是絕緣基板，該致冷晶片包括一第一電極、多個類型相同的半導體晶粒和一第二電極，該第一電極設置在該基板遠離該半導體層的表面，該第一電極和第二電極相對設置，使得該半導體晶粒夾在該第一電極和第二電極之間。

6.如權利要求1所述的發光二極管裝置，其特征在于：該基板是導電基板，該致冷晶片包括多個類型相同的半導體晶粒和一電極，該半導體晶粒間隔設置在該基板遠離該半導體層的表面，該電極設置在該半導體晶粒遠離該半導體層的一端。

7.如權利要求1所述的發光二極管裝置，其特征在于：該基板是導電基板，該致冷晶片包括一矩形導電塊、一絕緣層、多個電極和多個半導體晶粒，該矩形導電塊包括垂直于該基板的多個側面，該絕緣層設置在該基板的該矩形導電塊的外圍區域，該半導體晶粒設置在該絕緣層表面，且一端連接該側面，該電極設置在該半導體晶粒遠離該矩形導電塊的一端。

8.如權利要求1所述的發光二極管裝置，其特征在于：該發光二極管裝置進一步包括一散熱器，且該散熱器與該致冷晶片粘合固定。

9.一種發光二極管裝置，其包括一發光二極管磊晶片和一致冷晶片，該發光二極管磊晶片包括一基板和一設置在該基板表面的半導體層，其特征在于：該致冷晶片的冷端直接吸收該發光二極管磊晶片產生的熱量，并傳導到熱端。

10.一種發光二極管裝置的制造方法，其包括如下步驟：提供一基板，在該基板表面形成一半導體層；在該基板遠離該半導體層的表面直接形成致冷晶片；提供一散熱器，并與該致冷晶片粘合固定。