[發明專利]一種低壓化成箔的制造方法

有效

• 申請號: 200810065702.2
• 申請日: 2008-02-22
• 公開（公告）號: CN101246780A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發明（設計）人: 李道重;嚴志強
• 申請（專利權）人: 乳源瑤族自治縣東陽光化成箔有限公司
• 主分類號: H01G9/04
• 分類號: H01G9/04;H01G9/055;C23F1/00;C23F1/16;H01G9/045;H01G9/00
• 代理公司: 深圳市永杰專利商標事務所
• 代理人: 陳小耕

1、一種低壓化成箔的制造方法，其包括如下步驟：A)將低壓腐蝕箔片進行化成；B)對化成后箔片進行去極化處理；C)將去極化箔片進行第1再化成；D)將第1再化成的箔片進行第1熱處理；E)將經第1熱處理的箔片進行第2再化成，第2再化成的槽液包括己二酸銨溶液且加有磷酸和/或磷酸二氫銨；F)將第2再化成的箔片置于有機多元膦酸溶液中，施以正電壓進行加電后處理；G)將經后處理的箔片進行第2熱處理，得到所述低壓化成箔成品。

2、如權利要求1所述低壓化成箔的制造方法，其特征在于：所述第2再化成中磷酸和/或磷酸二氫銨的濃度為0.01-0.7mol/L。

3、如權利要求1所述低壓化成箔的制造方法，其特征在于：所述第1、2再化成均為一級化成，其化成電壓均與步驟A的最高化成電壓相等。

4、如權利要求1所述低壓化成箔的制造方法，其特征在于：所述多元膦酸為氨基三亞甲基三膦酸(ATMP)。

5、如權利要求1所述低壓化成箔的制造方法，其特征在于：所述步驟F的加電后處理中，所述多元膦酸溶液的溫度控制為25-90℃，溶液濃度在1.0×10^-3-15×10^-3mol/L范圍，溶液的PH值2.0-6.0；后處理時間為2-10分鐘。

6、如權利要求1所述低壓化成箔的制造方法，其特征在于：所述步驟F的加電后處理一開始，就將步驟A的最高化成電壓施加到箔片上。

7、如權利要求1所述低壓化成箔的制造方法，其特征在于：所述步驟B中的去極化處理，是將化成后箔片置于濃度為0.1-0.4mol/L的磷酸溶液中浸泡，浸泡溫度控制在40-90℃、時間1-4分鐘。

8、如權利要求1所述低壓化成箔的制造方法，其特征在于：所述第1熱處理和第2熱處理的溫度在450-550℃，第1熱處理和第2熱處理時間1.5-3.0分鐘。

9、如權利要求1所述低壓化成箔的制造方法，其特征在于：所述步驟A是在己二酸銨溶液中進行，己二酸銨溶液是由電阻率≥2MΩ·cm的純水與電容級的己二酸銨配制而成，其中己二酸銨濃度為0.1-1.2mol/L，溶液溫度控制在55-90℃。

10、如權利要求1所述低壓化成箔的制造方法，其特征在于：所述第1、2再化成的槽液中，己二酸銨溶液是由電阻率≥2MΩ·cm的純水與電容級的己二酸銨配制而成，其中己二酸銨濃度為0.1-1.2mol/L，溶液溫度控制在55-90℃。