[發明專利]薄膜晶體管基板及其制造方法、布線結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200810065652.8
• 申請日: 2008-01-25
• 公開（公告）號: CN101494226A
• 公開（公告）日: 2009-07-29
• 發明（設計）人: 陳文樺
• 申請（專利權）人: 群康科技（深圳）有限公司;群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種薄膜晶體管基板，其包括一絕緣基底、多條第一金屬導線、多條第二金屬導線和多條驅動線，在該絕緣基底上界定一顯示區和一邊框區，該邊框區位于該顯示區的外圍，該多條驅動線位于該顯示區的絕緣基底上，該第一金屬導線與該第二金屬導線位于該邊框區并與該驅動線相連接，其特征在于：該邊框區進一步設置有多個絕緣墻，該多個絕緣墻等間距排布，該第一金屬導線位于該絕緣墻的上表面上，該第二金屬導線位于該絕緣墻之間的絕緣基底上。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：該驅動線是柵極線，該薄膜晶體管基板進一步包括一柵極絕緣層、一鈍化層和一連接結構，該柵極絕緣層位于具有該柵極線、該第一金屬導線和該第二金屬導線的絕緣基底上，該鈍化層位于該柵極絕緣層上，該連接結構包括兩個接觸孔和一透明導電連接層，其中一接觸孔貫穿該第一金屬導線對應的柵極絕緣層和鈍化層，另一接觸孔貫穿該柵極線對應的柵極絕緣層和鈍化層，該透明導電連接層通過這兩個接觸孔將該第一金屬導線與該柵極線電連接。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：該絕緣墻鄰近該驅動線的末端為平緩延伸下降的階梯狀，該第一金屬導線位于其上直接與該驅動線電連接。

4.一種薄膜晶體管基板的制造方法，其包括以下步驟：

提供一絕緣基底，其包括一顯示區和一邊框區，該邊框區位于該顯示區的外圍；

在該絕緣基底上沉積一絕緣層；

在該絕緣基底的邊框區形成多個絕緣墻，該絕緣墻等間距排列；

在該絕緣基底和該絕緣墻上沉積一第一金屬層；

在該絕緣基底的顯示區形成一柵極和一柵極線，同時在該邊框區形成一第一金屬導線和一第二金屬導線，該第一金屬導線位于該絕緣墻的上表面上，該第二金屬導線位于該絕緣墻之間的絕緣基底上。

5.如權利要求4項所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于：該薄膜晶體管極板的制造方法進一步包括如下步驟：

在該第一金屬導線、第二金屬導線、柵極、柵極線和該柵極線兩側的絕緣基底上沉積一柵極絕緣層和一半導體層；

在該柵極對應的柵極絕緣層上形成一半導體層圖案；

在該柵極絕緣層和該半導體層圖案上沉積一第二金屬層；

分別在該半導體層圖案及其兩側的柵極絕緣層上形成一源極和一漏極；

在該源極、漏極及其兩側的柵極絕緣層上沉積一鈍化層；

形成一第一接觸孔、一第二接觸孔和一第三接觸孔，該第一接觸孔貫穿該漏極對應的鈍化層，該第二接觸孔貫穿該第一金屬導線對應的柵極絕緣層和鈍化層，該第三接觸孔貫穿該柵極線對應的柵極絕緣層和鈍化層；

在該鈍化層上沉積一透明導電金屬層；

形成一像素電極和一透明導電連接層，該像素電極經由該第一接觸孔與該漏極電連接，該透明導電連接層經由該第二接觸孔與該第三接觸孔將該第一金屬導線與該柵極線電連接。

6.一種薄膜晶體管基板的制造方法，其包括以下步驟：

提供一絕緣基底，其包括一邊框區和一顯示區，該邊框區位于該顯示區的外圍；

在該絕緣基底上沉積一第一金屬層；

形成一柵極和一柵極線；

在該柵極、該柵極線及其兩側的絕緣基底上沉積一柵極絕緣層和一半導體層；

形成一半導體層圖案和多個絕緣墻，該半導體層圖案位于該柵極對應的柵極絕緣層上，該絕緣墻位于該邊框區的絕緣基底上；

在該半導體層圖案、該絕緣墻、該柵極絕緣層和該絕緣基底上沉積一第二金屬層；

形成一源極、一漏極、多條第一金屬導線和多條第二金屬導線，該第一金屬導線位于該絕緣墻的上表面上，該第二金屬導線位于該絕緣墻之間的絕緣基底上。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于：該薄膜晶體管極板的制造方法進一步包括如下步驟：

在該第一金屬導線、該第二金屬導線、該源極、該漏極和該柵極絕緣層上沉積一鈍化層；

形成一第一接觸孔、一第二接觸孔和一第三接觸孔，該第一接觸孔、該第二接觸孔和該第三接觸孔分別貫穿該漏極、該第一金屬導線和該柵極線對應的鈍化層；

在該鈍化層上沉積一透明導電金屬層；

形成一像素電極和一透明導電連接層，該像素電極經由該第一接觸孔與該漏極電連接，該透明導電連接層經由該第二接觸孔與該第三接觸孔將該第一金屬導線與該柵極線電連接。