[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810065127.6
• 申請(qǐng)日: 2008-01-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101477989A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-07-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉妘詩(shī);謝朝樺;黃上育
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 群康科技（深圳）有限公司;群創(chuàng)光電股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1362
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種薄膜晶體管基板，其包括一顯示區(qū)、一柵極端子區(qū)及一數(shù)據(jù)端子區(qū)，該柵極端子區(qū)及該數(shù)據(jù)端子區(qū)分別位于該顯示區(qū)外圍的相鄰兩邊緣處；該薄膜晶體管基板進(jìn)一步包括一絕緣基底、一柵極、一像素電極、一柵極線、一柵極絕緣層圖案、一半導(dǎo)體層圖案、一源極、一漏極及一柵極端子，其特征在于：在顯示區(qū)，該柵極及該像素電極間隔設(shè)置在該絕緣基底表面，該柵極線與該柵極相連接；該柵極絕緣層圖案設(shè)置在該柵極及其兩側(cè)的絕緣基底上和該柵極線及其兩側(cè)的絕緣基底上；該半導(dǎo)體層圖案位于該柵極對(duì)應(yīng)的柵極絕緣層圖案表面；該源極及該漏極相對(duì)設(shè)置在該半導(dǎo)體層圖案上且與該半導(dǎo)體層圖案部分交疊，該漏極與該像素電極電連接；該柵極端子位于該柵極端子區(qū)的該柵極線對(duì)應(yīng)的柵極絕緣層圖案上，并通過(guò)一連接孔與該柵極線相連接；該薄膜晶體管基板還包括一導(dǎo)電保護(hù)層圖案，該導(dǎo)電保護(hù)層圖案覆蓋該源極、該漏極及該柵極端子。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：該薄膜晶體管基板進(jìn)一步包括一數(shù)據(jù)端子及一數(shù)據(jù)線，該數(shù)據(jù)端子位于該數(shù)據(jù)端子區(qū)的柵極絕緣層圖案上，并與該數(shù)據(jù)線相連接。

3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：該導(dǎo)電保護(hù)層圖案的材料為氧化銦錫或氧化銦鋅。

4.一種薄膜晶體管基板制造方法，其步驟包括：

提供一絕緣基底；

在該絕緣基底上形成像素電極；

在該絕緣基底上形成一柵極及一柵極線，該柵極與該像素電極間隔設(shè)置，該柵極與該柵極線相連接；

在該絕緣基底及該柵極表面形成一柵極絕緣層圖案，在該柵極對(duì)應(yīng)的柵極絕緣層表面上形成一半導(dǎo)體層，并在該柵極線對(duì)應(yīng)的柵極絕緣層中形成一連接孔；

在該柵極絕緣層圖案、該半導(dǎo)體層、該像素電極及該柵極線上沉積一第二金屬層，利用一第四掩膜進(jìn)行黃光刻蝕工藝處理該第二金屬層及該半導(dǎo)體層，進(jìn)而在該柵極線對(duì)應(yīng)的柵極絕緣層上形成一柵極端子，該柵極端子通過(guò)該連接孔與該柵極線接觸，在該半導(dǎo)體層上形成一溝槽及與該溝槽部分交疊的一源極及一漏極，且該漏極與該像素電極部分交疊；

在該柵極絕緣層、該源極、該漏極、該非晶硅圖案、該像素電極、該柵極端子及該數(shù)據(jù)端子上沉積一導(dǎo)電保護(hù)層，利用該第四掩膜進(jìn)行黃光刻蝕處理該導(dǎo)電保護(hù)層，進(jìn)而在該源極、該漏極及該柵極端子上形成一導(dǎo)電保護(hù)層圖案。

5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管基板制造方法，其特征在于：形成該半導(dǎo)體層、該柵極絕緣層圖案及該連接孔的步驟進(jìn)一步包括：在該絕緣基底、該像素電極、該柵極及該柵極線上沉積一柵極絕緣層及一非晶硅層；摻雜該非晶硅層使其表面形成一摻雜非晶硅層；沉積一光致抗蝕劑層于該摻雜非晶硅層表面，利用一狹縫掩膜對(duì)該光致抗蝕劑層曝光及顯影，以剩余光致抗蝕劑層為屏蔽對(duì)該柵極絕緣層、非晶硅層及摻雜非晶硅層進(jìn)行刻蝕，進(jìn)而形成該半導(dǎo)體層、該柵極絕緣層圖案及該連接孔。

6.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管基板制造方法，其特征在于：該狹縫掩膜包括一遮光區(qū)、一狹縫區(qū)及一透光區(qū)，該遮光區(qū)對(duì)應(yīng)該柵極，該透光區(qū)對(duì)應(yīng)該像素電極及該柵極端子，該狹縫區(qū)對(duì)應(yīng)該絕緣基板的其余位置。

7.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管基板制造方法，其特征在于：該剩余光致抗蝕劑層包括一厚度較厚的區(qū)域及一厚度較薄的區(qū)域，該薄膜晶體管基板制造方法進(jìn)一步包括將未被該剩余光致抗蝕劑層覆蓋的摻雜非晶硅層及非晶硅層刻蝕的同時(shí)，將厚度較薄區(qū)域的剩余光致抗蝕劑全部刻蝕掉的步驟。

8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管基板制造方法，其特征在于：該薄膜晶體管基板制造方法進(jìn)一步包括刻蝕未被剩余光致抗蝕劑層覆蓋的摻雜非晶硅層、非晶硅層與柵極絕緣層，形成非晶硅圖案及形成該柵極線上對(duì)應(yīng)的柵極絕緣層中的連接孔圖案的步驟。

9.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管基板制造方法，其特征在于：該薄膜晶體管基板制造方法進(jìn)一步包括在形成該柵極端子的同時(shí)一起形成一數(shù)據(jù)端子及一數(shù)據(jù)線，該數(shù)據(jù)端子與數(shù)據(jù)線直接相連。

10.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管基板制造方法，其特征在于：該導(dǎo)電保護(hù)層的材料為氧化銦錫或氧化銦鋅。