[發(fā)明專利]硼化物基陶瓷材料的表面預(yù)氧化方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810064952.4 | 申請日： | 2008-07-18 |
| 公開（公告）號： | CN101318833A | 公開（公告）日： | 2008-12-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 韓杰才;張幸紅;孟松鶴;徐林;韓文波;翁凌;王家智 | 申請（專利權(quán)）人： | 哈爾濱工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | C04B41/80 | 分類號： | C04B41/80 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 劉同恩 |
| 地址： | 150001黑龍江*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硼化物基 陶瓷材料 表面 氧化 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.硼化物基陶瓷材料的表面預(yù)氧化方法，其特征在于硼化物基陶瓷材料的表面預(yù)氧化方法按以下步驟實(shí)施：一、用砂紙對硼化物基陶瓷材料進(jìn)行表面拋光處理至表面光潔度小于1μm，其中硼化物基陶瓷材料中SiC晶須和HfB2粉末的體積百分比為20∶80，材料拋光處理后在受拉表面中心預(yù)制一維氏壓痕；二、將拋光處理后的材料放入燒結(jié)爐中，升溫至1000℃并保溫60min，然后隨爐冷卻至室溫；即得硼化物基陶瓷材料的氧化表面；或者硼化物基陶瓷材料的表面預(yù)氧化方法按以下步驟實(shí)施：一、用砂紙對硼化物基陶瓷材料進(jìn)行表面拋光處理至表面光潔度小于1μm；其中硼化物基陶瓷材料中SiC晶須和ZrB2粉末的體積百分比為20∶80，材料拋光處理后在受拉表面中心預(yù)制一維氏壓痕；二、將拋光處理后的材料放入燒結(jié)爐中，升溫至1200℃并保溫60min，然后隨爐冷卻至室溫；即得硼化物基陶瓷材料的氧化表面。?
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