[發明專利]一種低壓微波輻射碳納米管羥基改性的方法

無效

• 申請號: 200810064757.1
• 申請日: 2008-06-18
• 公開（公告）號: CN101298325A
• 公開（公告）日: 2008-11-05
• 發明（設計）人: 王鵬;史書杰;曹海雷
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: C01B31/02
• 分類號: C01B31/02
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所
• 代理人: 金永煥

1.一種低壓微波輻射碳納米管羥基改性的方法，其特征在于低壓微波輻射碳納米管羥基改性方法按以下步驟實現：一、將0.5～2g碳納米管浸沒于50mL的堿溶液中，然后在微波功率為700W、壓力為0.2～0.5MPa的條件下反應1～10min，取出冷卻至室溫，加入蒸餾水靜置沉淀；二、將沉淀物用聚四氟乙烯薄膜、清洗至滴下濾液的pH為6～7，然后在80～105℃的條件下干燥，即得羥基改性的碳納米管；其中步驟一中堿溶液濃度為1.5～15mol/L。

2.根據權利要求1所述的一種低壓微波輻射碳納米管羥基改性的方法，其特征在于步驟一中將1g碳納米管浸沒于50mL的堿溶液中。

3.根據權利要求1所述的一種低壓微波輻射碳納米管羥基改性的方法，其特征在于步驟一中堿溶液為氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液、氨水的一種或幾種。

4.根據權利要求1所述的一種低壓微波輻射碳納米管羥基改性的方法，其特征在于步驟一中壓力為0.3～0.4MPa。

5.根據權利要求1所述的一種低壓微波輻射碳納米管羥基改性的方法，其特征在于步驟一中加熱時間為3～7min。

6.根據權利要求1所述的一種低壓微波輻射碳納米管羥基改性的方法，其特征在于步驟二中聚四氟乙烯薄膜的孔徑為0.20μm。

7.根據權利要求1所述的一種低壓微波輻射碳納米管羥基改性的方法，其特征在于步驟二中干燥溫度為90～100℃。