[發明專利]一種連續繞卷式磁控濺射法制造的陶瓷高阻隔膜裝置

無效

• 申請號: 200810064558.0
• 申請日: 2008-05-23
• 公開（公告）號: CN101353783A
• 公開（公告）日: 2009-01-28
• 發明（設計）人: 孫智慧;林晶;劉壯;高德
• 申請（專利權）人: 哈爾濱商業大學
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 哈爾濱市哈科專利事務所有限責任公司
• 代理人: 劉婭

1、一種連續繞卷式磁控濺射法制造的陶瓷高阻隔膜裝置，它包括沉積室、放卷裝置、收卷裝置、射頻交流電源，其特征在于它還包括設置在沉積室外部的蝶閥、機械泵、羅茨泵和分子泵，沉積室中間裝有鍍膜輥，下部裝有長方形硅靶，沉積室的兩端設有封頭，在沉積室上至少設有一個觀察窗，所述的沉積室的下部通過蝶閥和管道分別連接有機械泵、羅茨泵和分子泵。

2、根據權利要求1所述的一種連續繞卷式磁控濺射法制造的陶瓷高阻隔膜裝置，其特征在于所述的放卷裝置、收卷裝置分別設置在放卷真空室和收卷真空室內，鍍膜輥設置在鍍膜真空室內，收卷、放卷真空室及鍍膜真空室之間連接有真空連接箱。

3、根據權利要求2所述的一種連續繞卷式磁控濺射法制造的陶瓷高阻隔膜裝置，其特征在于所述的鍍膜真空室包括一組即至少一個鍍膜真空室，鍍膜真空室中設置有真空鍍膜箱，位于真空鍍膜箱體內安裝有冷卻輥，以冷卻輥為中心周圍布置有至少3組陰極和高低壓真空泵及管道組成的真空抽氣系統。

4、根據權利要求3所述的一種連續繞卷式磁控濺射法制造的陶瓷高阻隔膜裝置，其特征在于所述的磁控濺射的陰極的靶及靶芯設置在每個真空鍍膜箱體中，陰極通過陰極法蘭連接座以法蘭連接形式安裝在真空鍍膜箱體壁上，氣體、電源、冷卻水連接管線置于真空鍍膜箱體壁外。

5、根據權利要求4所述的一種連續繞卷式磁控濺射法制造的陶瓷高阻隔膜裝置，其特征在于所述的放卷真空室及收卷真空室與真空連接箱之間設置有可以分隔兩箱之間的真空度及真空狀態的閥門，該閥門是翻板閥或閘板閥或滾動橡膠輥組成的門閥。

6、根據權利要求5所述的一種連續繞卷式磁控濺射法制造的陶瓷高阻隔膜裝置，其特征在于所述的沉積室內鍍膜輥的中間通過循環冷卻水管道。

7、根據權利要求6所述的一種連續繞卷式磁控濺射法制造的陶瓷高阻隔膜裝置，其特征在于所述的沉積室為圓柱型桶。

8、根據權利要求7所述的一種連續繞卷式磁控濺射法制造的陶瓷高阻隔膜裝置，其特征在于所述的長方形硅靶安裝在沉積室底部，硅靶與沉積室通過絕緣墊連接。硅靶上裝有射頻交流電源。

9、根據權利要求8所述的一種連續繞卷式磁控濺射法制造的陶瓷高阻隔膜裝置，其特征在于所述的陰極之間設立有由兩塊隔離板組成抽氣通道的擋氣隔離板，抽氣泵及抽氣管道放置在真空鍍膜箱體兩端和/或真空鍍膜箱體之上。

10、根據權利要求9所述的一種連續繞卷式磁控濺射法制造的陶瓷高阻隔膜裝置，其特征在于所述的一組真空鍍膜室的首個陰極安裝位置安裝條形陰極離子源預處理機構，使卷材鍍前其表面被等離子體清洗。