[發(fā)明專利]有堵漏結構的用于磁共振波譜分析儀的開放型永磁體模塊無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810064521.8 | 申請日: | 2008-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN101345116A | 公開(公告)日: | 2009-01-14 |
| 發(fā)明(設計)人: | 宋梟禹;郭斌;柴鳳 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱工業(yè)大學 |
| 主分類號: | H01F7/02 | 分類號: | H01F7/02;G01R33/383 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 | 代理人: | 張果瑞 |
| 地址: | 150001黑龍江*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 堵漏 結構 用于 磁共振 波譜 分析 開放型 永磁體 模塊 | ||
1、有堵漏結構的用于磁共振波譜分析儀的開放型永磁體模塊,它包括C形磁軛(1)、上磁體(2)和下磁體(3),其特征在于所述上磁體(2)包括上環(huán)柱形磁殼(2-1)、上磁芯(2-2)、磁極(2-3)和勻場線圈(2-4),上環(huán)柱形磁殼(2-1)設置在C形磁軛(1)上臂的下端面上,上環(huán)柱形磁殼(2-1)的磁化方向由靠近C形磁軛(1)上臂的平行于豎直方向逐漸變化為靠近成像空間(4)的垂直于豎直方向,上磁芯(2-2)設置在上環(huán)柱形磁殼(2-1)內并且上磁芯(2-2)的上端面設置在C形磁軛(1)上臂的下端面上,上磁芯(2-2)的磁化方向平行于豎直方向,磁極(2-3)的上端面設置在上磁芯(2-2)的下端面上,磁極(2-3)的下端面為凸凹環(huán)狀結構,勻場線圈(2-4)設置在成像空間(4)中靠近磁極(2-3)的下端面的位置上,所述下磁體(3)的結構與上磁體(2)相同,并且與上磁體(2)上下對稱的設置在C形磁軛(1)的下端面上,下磁體(3)的下環(huán)柱形磁殼(3-1)磁化方向與上環(huán)柱形磁殼(2-1)的磁化方向上下對稱,下磁體(3)的下磁芯(3-2)的磁化方向與上磁芯(2-2)的磁化方向相同。
2、根據(jù)權利要求1所述的有堵漏結構的用于磁共振波譜分析儀的開放型永磁體模塊,其特征在于當所述磁極(2-3)的凸環(huán)橫截面的形狀為矩形時凹環(huán)的形狀為矩形,當所述磁極(2-3)的凸環(huán)橫截面的形狀為梯形時凹環(huán)的形狀為三角形。
3、根據(jù)權利要求1所述的有堵漏結構的用于磁共振波譜分析儀的開放型永磁體模塊,其特征在于上磁體(2)和下磁體(3)橫截面的形狀為正多邊形、圓形、中空正多邊形或圓環(huán)形。
4、根據(jù)權利要求1所述的有堵漏結構的用于磁共振波譜分析儀的開放型永磁體模塊,其特征在于上環(huán)柱形磁殼(2-1)、下環(huán)柱形磁殼(3-1)、上磁芯(2-2)以及下磁芯(3-2)都采用多層磁性材料的結構,多層磁性材料沿橫截面的幾何中心平均分成多份。
5、根據(jù)權利要求1所述的有堵漏結構的用于磁共振波譜分析儀的開放型永磁體模塊,其特征在于所述上磁體(2)和下磁體(3)分別增加了梯度線圈(2-5),兩個梯度線圈(2-5)分別設置在成像空間(4)中靠近磁極端面的位置上。
6、根據(jù)權利要求1所述的有堵漏結構的用于磁共振波譜分析儀的開放型永磁體模塊,其特征在于它增加了多個磁片(5),每個磁片(5)都分別設置在磁極(2-3)靠近成像空間(4)一端的表面上。
7、根據(jù)權利要求6所述的有堵漏結構的用于磁共振波譜分析儀的開放型永磁體模塊,其特征在于磁片(5)的材質為鐵。
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